Toshiba udvider sit 150 V N-kanal power U-MOS X-H MOSFET-program

Nye produkter med bedre reverse-recovery karakteristik giver vitale forbedringer i synkrone ensretterapplikationer.

Del artiklen på

Toshiba Electronics tilføjer to nye 150 V N-kanal power-MOSFET produkter baseret på virksomhedens nyeste generation af U-MOS X-H trench-processen. TPH1100CQ5 og TPH1400CQ5-komponenterne er designet specifikt til brug i højtydende switchede strømforsyninger, som typisk anvendes i datacentre og basestationer til kommunikation samt i andre industrielle applikationer.

Med en maksimal drain-source spænding (VDSS) på nominelt 150 V og en drain-strøm (ID) op til 49 A (TPH1100CQ5) og 32 A (TPH1400CQ5), har de nye komponenter maksimale drain-source on-modstande (RDS(ON)) på henholdsvis 11 mohm og 14 mohm.

De nye produkter har en forbedret reverse-recovery karakteristik, hvilket er kritisk i synkrone ensretterapplikationer, I tilfældet TPH1400CQ5 er reverse-recovery ladningen (Qrr) reduceret med rundt regnet 73 % til 27 nC (typisk) med en reverse-recovery tid (trr) på 36 ns (typisk), hvilket er omtrent 45 % hurtigere sammenlignet med Toshibas eksisterende TPH1400CQH, som ellers har den samme spænding og RDS(ON). Brugt i synkrone ensretterapplikationer reducerer TPH1400CQ5 effekttabet i switchede strømforsyninger og bidrager til at øge effektiviteten. Hvis komponenten anvendes i et kredsløb, der ikke arbejder i reverse-recovery tilstand, så er effekttabet ækvivalent til dét i TPH1400CQH.

Hvis man anvender de nye produkter i kredsløb, der arbejder i reverse-recovery tilstande, reducerer de nye komponenter spændings-spikes genereret under switching, hvilket forbedrer støjkarakteristika for designet og minimerer behovet for ekstern filtrering. Komponenterne er kapslede i alsidige, SMD SOP Advance(N) kapslinger, der kun måler 4,9 mm x 6,1 mm x 1,0 mm.

Til support af designere har Toshiba udviklet en G0 SPICE-model til hurtig verificering af kredsløbsfunktionerne samt de yderst præcise G2 SPICE-modeller for præcis reproduktion af komponenternes transientegenskaber.