40 V N-kanal MOSFETs i SOP Advance pakninger

40 V N-kanal MOSFETs i SOP Advance pakninger

Toshiba lancerer 40 V N-kanal effekt-MOSFETs i SOP Advance(EWF) pakninger. De nye MOSFETs har en intern søjlefri struktur med source-kobling og ka levere nominelle strømme op til 180.

CGC og NXP udbygger GaN-samarbejde

CGC og NXP udbygger GaN-samarbejde

Cambridge GaN Devices (CGD) og NXP Semiconductors vil i fællesskab accelerere 'time-to-market' for GaN-baserede løsninger i datacenter og automotive markeder (in english).