Medieplan 2012 DK
Send til en ven 
Udskriv9/1 2012 kl. 10:28SLC NAND flash med indbygget fejlkorrektion
Toshiba annoncerer single level celle (SLC) flash med indbygget EEC. Der lanceres henholdsvis 4- og 8 Gbit versioner (in english).
Toshiba Electronics Europe (TEE) has announced the development of BENANDTM, a versatile, multi-application single level cell (SLC) NAND flash memory with an embedded error correction code (ECC). BENAND’s diverse applications include LCD TVs and digital cameras along with robots and other industrial applications. Samples of eight BENAND products in two capacities, 4Gigabit and 8Gigabit, will be available from today and mass production will follow from March 2012.
The simple interface and high reliability of small capacity SLC NAND has won it wide use in consumer applications and industrial programming. Until now, the ECC has been embedded in the host processor and corrected 1 bit per 512 bytes. However, advances in memory process technology require enhanced error correction; more than 4 bit correction per 512 bytes for NAND flash fabricated with a 32nm process.
For NAND flash memory without ECC fabricated with 32nm and beyond, the controller in the host processor must be changed to secure the required level of correction.
BENAND removes the burden of ECC from the host processor while minimising protocol changes and allowing host processors to support leading edge process NAND flash memory in a timely manner. BENAND embeds an ECC with an error correction of 4 bit per 512 bytes onto Toshiba’s cutting edge 32nm process SLC NAND flash memory. Package and pin configuration compatibility are assured with general SLC NAND flash, allowing easy replacement of existing products.
Toshiba plans to expand the BENAND lineup to include 24nm process NAND flash memory products after summer 2012.
Relaterede nyheder
- • Første 4 Gbit LPDDR'er i 20nm teknologi
- • Micron udvikler DDR4 DRAM-modul
- • Micron og Intel hædres for Flash samarbejde
- • Intel og Micron udbygger Flash samarbejde
- • Toshiba udvikler 128 Gbit Flash
- • Rambus køber Unity Semiconductor
- • Digital controller til DDR hukommelse
- • Acal BFi vil forsyne markedet med hurtige synkrone SRAM'er
- • Nyt microSD kort sigter mod industriapplikationer
- • Toshiba klar med USB 3.0 kompatibel USB flash hukommelse
- • Første 256 GB CompactFlash kort
- • Industrigiganter samarbejder om den næste generation af memoryteknologier
- • Første single-chip 128 gigabit NAND flash-hukommelse
- • Ny embedded SRAM-teknik baner vej for markant reduktion af effektforbruget
- • Samsung og Micron vil nedbryde memory-muren
Seneste nyheder
- • Silicon Labs køber 2,4 GHz specialisten Ember
- • Touch platform emulerer fysiske trykknapper
- • AMD udvider APU platformen med ny R-serie
- • Ericsson klar med ny generation af powermoduler
- • Første 4 Gbit LPDDR'er i 20nm teknologi
- • SemiSouth sampler første 650V SiC JFETs
- • Digi-Key i globalt samarbejde med t-Global Technology
- • austriamicrosystems bliver til 'ams'
- • Find spændende apps til OrCAD og Allegro på nettet
- • Future lancerer energy harvesting testplatform
- • HDMI bridge-IC strømliner HD-konnektiviteten
- • Box med display
- • Ny standard for trådløs opladning i støbeskeen
- • Stor opbakning til nye M2M standard i 'white space' området
- • AMD Embedded G-Series undestøtter Windows RTOS
- • Ny 600V IGBT platform
- • COM-modul med næste generation Atom dual-core processorer
- • Danfoss afhænder datterselskab
- • Renesas hos RS
- • Würth Elektronik på vej med transformerkomponenter til trådløs opladning
- • Segger Microcontroller hos Farnell
- • I/Q demulator med ultrabred båndbredde
- • Nyt kompakt COM modul fra VIA
- • Low-cost fugtigheds- og temperatursensor
- • Brüel & Kjær og Agilent samarbejder om 'voice-over-LTE' testsystemer