Samsung er nu i produktion med industriens første Mobile LPDDR2 hukommelse, der er fremstillet i en 20nm teknologi (in english).
Micron har annonceret det første fuldt funktionelle DDR4 DRAM modul, der vil gå i volumenproduktion senere på året (in english).
Intel og Micron har samarbejdet om udvikling af 20nm baseret NAND Flash, og det succesfulde og perspektivrige samarbejde hædres nu med prestigefyldt pris (in english).
Intel og Micron udvider deres etablere Flash samarbejde til også at omfattede kommende memoryteknologier (in english).
Toshiba annoncerer teknologisk gennembrud for NAND Flash hukommelser i 19nm procesnoden (in english).
Rambus udvider teknologiporteføljen inden for memoryteknologier med købet af privatejde Unity Semiconductor (in english).
Powervation - der har specialiseret sig i digitale power IC'er - lancerer digital controller til brug i forbindelse med DDR hukommelser (in english).
Acal BFi vil sikre, at der fortsat er muligt at få fast hurtige synkrone SRAM (FSS'er) efter Samsung har annonceret planer om at trække sig fra markedet (in english).
InnoDisk annoncer industrielt microSD kort, der bl.a. inkluderer monitoreringsfunktion og har indbygget data refresh funktion (in english)
Toshiba klar med 32GB og 64GB USB flash hukommelser, der understøtter 'Super Speed' USB 3.0, som er 22 gange hurtigere end tidligere versioner (in english).
Lexar lancerer som de første i industrien et 256 GB CompactFlash kort. Der er også nye 64GB og 128 GB versioner tilgængelige (in english).
Toshiba annoncerer single level celle (SLC) flash med indbygget EEC. Der lanceres henholdsvis 4- og 8 Gbit versioner (in english).
Panasonic, Samsung, Sandisk, Sony ogToshiba går sammen om udvikling af den næste generation af 'secure' memory-løsninger (in english).
IM Flash Technologies - der er et joint-venture mellem Intel og Micron - annoncerer den første 128 Gb Flash-kreds. Samtidig er den tidligere introducerede 64 Gb hukommelse nu gået i masseproduktion (in english).
Toshiba har udviklet ny kredsløbsteknik, der gør det muligt at integere embedded SRAM, som opererer ved en spændingsforsyning fra 0,5V til 1,0 V (in english).
I et storstilet samarbejde vil Samsung og Micron udvikle en åben interfacestandard samt en helt ny memory-teknologi kaldet Hybrid Memory Cube (in english).
InnoDisk lancerer ny generation af InnoRobust II SATA SSD'er, der bl.a. inkluderer den innovative iCell teknologi (in english).
Der nu overkapacitet på DRAM-markedet og priserne på f.eks. 2Gb DDR3 hukommelser vil i følge IHS falde med 24 procent fra andet til tredje kvartal. Men der endnu større fald i vente (in english).
Samsung lancerer nu 32GB hukommelsesmoduler, hvor der anvendes en tredimensionel pakningteknologi (in english).
Samsung lancerer højt ydende 512GB SSD'er med med ultrahurtig SATA Revision 3.0 interface (in english).
Det norske teknologifirma, InkTek, har sammen med firmaets koreanske produktionspartner åbnet dedikeret produktionslinie for tyndfilms hukommelser (in english).
TDK lancerer SDG3B serien af serielle ATA II kompatible industrielle solid state drives (SSD'er) med en maksimum kapacitet på 128 GByte (in english).
Hastigheden af den teknologiske evolution i DRAM-industrien reduceres, og i den kommende tid kommer man ikke til at se samme agressive priserosion som tidligere, fremhæver IHS iSuppli (in english).
Swissbit - der er Europas største producent af DRAM moduler og Flash lagringsmedier - har indgået global distributionsaftale med Digi-Key (in english).
Samsung lancerer hurtigere, højtydende memorykort til 4G smartphones (in english).
Tablets som iPads og e-book læsere som Amazon's Kindle er med til at revitalisere markedet for NOR Flash hukommelser (in english)
Samsung har kvalificeret en 28nm LP (low power) proces til firmaets foundry kunder. Den ny procesnode kan booste ydelsen i mange af de kommende generationer af mobile applikationer (in english).
FIFO hukommelser med densiteter på op til 72 Mbit sigter mod bl.a. krævende video- og imaging applikationer (in english).
Første kvartal af 2011 udviklede sig skuffende for DRAM-producenterne, hvilket langt hen af vejen skyldes lavere end forventede salgspriser, vurderer IHS iSuppli (in english).
Samsung har nu startet produktionen de første 32 GB memorymoduler, der er bygget op omkring fire 30nm baserede DDR3 DRAM-chips (in english)
Micron er nu ved at være klar til starte produktionen af firmaets tredje generation af 'reduced latency DRAM hukommelser (in english).
OKI går nu ind på markedet for ferroelektriske RAM (FeRAM) hukommelser med en familie af komponenter med en kapacitet op til 256 kbit (in english).
Samsung lancerer industriens første 64-gigabit MLC NAND flash, der anvender det såkaldte 'toggle' DDR 2.0 interface (in english).
IDT lancerer termiske sensorer, der kan forbedre pålideligheden og reducere effektforbruget i memorysubsystemer (in english).
Lite-On er klar med USB 3.0 blu-ray-brænder, der kan brænde blu-ray-diske med en 12x brændehastighed.
Toshiba lancerer nu NAND flash kredse, der er baseret på 19nm procesteknologi (in english).
Intel og Micron, der samarbejder omkring NAND flash teknologi, tager nu et stort procesteknologisk fremskridt og kan nu bl.a. tilbyder 8 GB MCL NAND flash kredse (in english).
Ny generation af high-density NAND Flash kredse har integreret ECC-support, hvilket letter systemudviklingen markant (in english).
Markedet for Mobile DRAM'er vokser kraftigt, men de eksisterende teknologier har deres begrænsninger, fremhæver IHS iSuppli (in english).
Intel har netop lancereret firmaets tredje generation af solid state drives (SSD'er) baseret på 25nm Flash og kapacitet helt op til 600 GB.
Cypress udvider seriel nvSRAM portefølje med I2C og anden generations SPI enheder med densiteter fra 64kb til 1Mb (in english).
Solid-state disks har erobret tablet-markedet, og det gør ondt på hardisk leverandørerne, at de ikke har del af et tidens vigtigste vækstmarkeder (in english).
Intel introducerer helt ny generation af solid-state harddiske med særdeles hurtige skrive- og læsehastigheder.
Flash disk sikkerhed adskiller sig på afgørende vis fra magnetiske drev, hvilket man skal være opmærksom på i forbindelse med et direkte teknologiskift, fremhæver firmaet Orgin Storage (in english)
Samsung udvikler 1Gb wide I/O mobile DRAM, der kan transmittere data med en hastighed på 12,8 GByte/s (in english).
Det er lykkedes for Samsung at udbygge sin i forvejen dominerende position på DRAM-markedet, fastslår IHS iSuppli (in english).
IHS iSuppli estimerer, at NAND flash forbruget i tablets vil forøges med en faktor fire i 2011 (in english).
M-Comp introducerer industrielt SD flash kort, der bl.a. er kompatibel med seneste 3.0 standard (in english).
Plextor er introducerer nu første blu-ray diskbrænder, der tilbyder 12X BD brændehastighed.
Det for tiden eller noget problemfyldte DRAM-marked kan glæde sig over, at DRAM-efterspørgslen til tablet applikationer vil forøges men faktor 9 i 2011, fremhæver IHS iSuppli (in english).
Renesas lancerer 576 Mbit 'low-latency' DRAM, der er optimeret til brug i netværksudrustning (in english).
Den massive fald i salgspriserne vil reducere omsætningen på DRAM-markedet med knap 12 procent i 2011, vurderer iSuppli (in english).
Ifølge iSuppli faldt DRAM-priserne i december måned til det laveste niveau i 2010. Og set med DRAM-producenternes øjne er der ikke bedre tider på vej (in english).
Samsung annoncerer, at firmaet nu har færdigudviklet industriens første DDR4 DRAM-modul, der er baseret på 30nm komponentteknologi (in english).
Samsung udvikler et 8 GByte memorymodul, der er baseret på en tredimensionel stacking teknologi (in english).
Samsung er ved at være klar til at levere 4 Gbit LPDDR2 DRAM'er, der kan operere med dataoverførselshastigheder på over 1Mbit/s (in english).
Intel har netop sat prisen ned på Solid State Drive (SSD) lagringsenheder og introducerer samtidig en ny 120GB SSD (in english).
Samsung producerer nu 20nm 64 Gigabit 3-bit NAND flash hukommelse (in english).
Intel og Micron er nu klar med industriens første tre-bit per celle NAND Flash, der er fremstillet i en 25nm procesteknologi (in english).
Samsung introducerer nu højhastigheds 512GB solid state drive (SSD), der inkorporerer ny toggle-mode DDR NAND memory teknologi (in english).
Taiwan's Powerchip er i det seneste kvartal vokset med over 80 procent, og omsætningen er tidoblet i løbet af det seneste år (in english).
Toshiba introducerer industriens hidtil største NAND flash modul til brug i embedded applikationer (in english).
Ramtrons's serielle 1-Mbit FRAM er blevet kvalificeret til automotive applikationer (in english).
Selvom NOR Flash hukommelser mødes med stor konkurrence af NAND Flash kredse i mobiltelefoner, så bruges NOR Flash fortsat i rigtig mange embedded applikationer (in english).
Samsung lancerer nu industriens første multichip package (MCP), hvor der er integreret en PRAM hukommelseschip (in english).
Samsung har fremstillet de første 20nm baserede NAND-chips til 'secure digital' memory-kort og embedded memorysystemer (in english).
Microchip introducerer nye paktningsteknologier i firmaets UNI/O EEPROM produktlinie (in english).
Ifølge iSuppli vil DRAM-forbruget i smart-phones blive 10-dobbelt i løbet af de kommende år (in english).
Samsung kan nu levere 40nm-baserede 32-GB memorymoduler,der sigter mod specielt serverapplikationer (in english).
Toshiba lancerer verdens første harddisk med to plader og 750 GB kapacitet.
STMicroelectronics introducerer dual-interface EEPROM, der gør det muligt trådløst at få tilgang til forskelige parametre i et elektronisk produkt (in english).
Ifølge iSuppli nyder også det pressede markedet for NOR Flash hukommelser godt af de gunstigere markedskonditioner (in english).
Infineon mener, at Elpida Memory krænker fire af Infineons DRAM-relaterede patenter (in english).
Samsung er klar med 64GB og 32GB NAND-hukommelser til mobile applikationer (in english).
iSuppli forventer, at omsætningen på markedet for DRAM-komponenter vil stige ikke mindre end 40 procent i 2010 (in english).
Efterspørgslen efter iPhone og konkurrerende produkter giver anledning til mangel på NAND flash hukommelser i 2010, vurderer iSuppli (in english).
Intel og Micron har i fælleskab udviklet industriens første 25nm NAND flash teknologi, der åbner mulighed for 8 GB data på én chip (in english).
Første 30nm DRAM er nu klar til evaluering hos Samsungs nøglekunder (in english).
Nye NAND Flash specifikationer skal bl.a. gøre det lettere at integrere NAND Flash hukommelser i konsumerelektronik (in english).
NEC Electronics og storage-producenten WD samarbejde om ny 'Superspeed' USB 3.0 standard (in english).
Medieplan 2012 DK