Intel og Micron er nu klar med industriens første tre-bit per celle NAND Flash, der er fremstillet i en 25nm procesteknologi (in english).
Samsung introducerer nu højhastigheds 512GB solid state drive (SSD), der inkorporerer ny toggle-mode DDR NAND memory teknologi (in english).
Taiwan's Powerchip er i det seneste kvartal vokset med over 80 procent, og omsætningen er tidoblet i løbet af det seneste år (in english).
Toshiba introducerer industriens hidtil største NAND flash modul til brug i embedded applikationer (in english).
Ramtrons's serielle 1-Mbit FRAM er blevet kvalificeret til automotive applikationer (in english).
Selvom NOR Flash hukommelser mødes med stor konkurrence af NAND Flash kredse i mobiltelefoner, så bruges NOR Flash fortsat i rigtig mange embedded applikationer (in english).
Samsung lancerer nu industriens første multichip package (MCP), hvor der er integreret en PRAM hukommelseschip (in english).
Samsung har fremstillet de første 20nm baserede NAND-chips til 'secure digital' memory-kort og embedded memorysystemer (in english).
Microchip introducerer nye paktningsteknologier i firmaets UNI/O EEPROM produktlinie (in english).
Ifølge iSuppli vil DRAM-forbruget i smart-phones blive 10-dobbelt i løbet af de kommende år (in english).
Samsung kan nu levere 40nm-baserede 32-GB memorymoduler,der sigter mod specielt serverapplikationer (in english).
Toshiba lancerer verdens første harddisk med to plader og 750 GB kapacitet.
STMicroelectronics introducerer dual-interface EEPROM, der gør det muligt trådløst at få tilgang til forskelige parametre i et elektronisk produkt (in english).
Ifølge iSuppli nyder også det pressede markedet for NOR Flash hukommelser godt af de gunstigere markedskonditioner (in english).
Infineon mener, at Elpida Memory krænker fire af Infineons DRAM-relaterede patenter (in english).
Samsung er klar med 64GB og 32GB NAND-hukommelser til mobile applikationer (in english).
iSuppli forventer, at omsætningen på markedet for DRAM-komponenter vil stige ikke mindre end 40 procent i 2010 (in english).
Efterspørgslen efter iPhone og konkurrerende produkter giver anledning til mangel på NAND flash hukommelser i 2010, vurderer iSuppli (in english).
Intel og Micron har i fælleskab udviklet industriens første 25nm NAND flash teknologi, der åbner mulighed for 8 GB data på én chip (in english).
Første 30nm DRAM er nu klar til evaluering hos Samsungs nøglekunder (in english).
Nye NAND Flash specifikationer skal bl.a. gøre det lettere at integrere NAND Flash hukommelser i konsumerelektronik (in english).
NEC Electronics og storage-producenten WD samarbejde om ny 'Superspeed' USB 3.0 standard (in english).
Introduktionen af NAND flash kredse med tre bit pr. celle har givet Toshiba et kraftigt boost på markedet (in english).
Toshiba introducerer nu et NAND Flash memorymodul, der med 64GB har industriens hidtil største kapacitet (in english).
Den nuværende kapacitet i DRAM-industrien er tilstrækkelig frem til og med 2012, vurderer iSuppli (in english).
STMicroelectronics og LG Display har i fælleskab udviklet ny interface-teknologi, iDP, til LCD tv (in english).
Infineon og TSMC vil samarbejde om udvikling af 65nm embedded Flash teknologi (in english).
SST lancerer første low-voltage, high-speed Quad I/O seriel Flash med særdeles hurtig random access performance (in english).
Rambus demonstrerer ny memoryarkitektur, der kan give en hidtil uset power-effektivitet i mobile applikationer (in english).
Markedet for DRAM-hukommelser voksede med 35 procent fra andet til tredje kvartal (in english).
Medieplan 2010 DK