Medieplan 2012 DK
Send til en ven 
Udskriv15/10 2010 kl. 7:4264 Gigabit NAND flash i 20nm teknologi
Samsung producerer nu 20nm 64 Gigabit 3-bit NAND flash hukommelse (in english).
Samsung Electronics has announced the dustry's first production of a 3-bit-cell (3bit), 64 gigabit (Gb) NAND flash using 20 nanometer (nm)-class process technology. The highly advanced new chip can be used in high-density flash solutions such as USB flash drives (UFDs) and Secure Digital (SD) memory cards.
- Samsung has repeatedly provided the market with leading-edge NAND flash solutions, including the introduction of 30nm-class, 32Gb 3-bit NAND flash last November, says Seijin Kim, vice president, Flash Memory Planning/Enabling, Samsung Electronics.
- By now entering into full production of 20nm-class 64Gb 3-bit devices, we expect to accelerate adoption of our high-performance NAND solutions that use Toggle DDR technology, for applications that also require high-density NAND.
The availability of storage density as high as eight gigabyte (64Gb) in a single chip will trigger widespread acceptance of Toggle DDR-based high-performance flash in UFDs and SD cards, as well as smart phones and SSDs, while replacing previous four gigabyte (32Gb) devices in the market.
Samsung's 20nm-class, 64Gb 3-bit NAND has a 60 percent higher productivity level than 30nm-class, 32Gb 3-bit NAND. The device also offers improved performance by applying Toggle DDR (Double Data Rate) 1.0 specifications, compared to those of SDR (Single Data Rate) based 30nm-class NAND chips.
Following the production of 20nm-class 32Gb MLC NAND in April, Samsung expands its product offerings at the leading-edge 20nm-class process node with the introduction of the 20nm-class 64Gb 3-bit NAND.
Relaterede nyheder
- • Første 4 Gbit LPDDR'er i 20nm teknologi
- • Micron udvikler DDR4 DRAM-modul
- • Micron og Intel hædres for Flash samarbejde
- • Intel og Micron udbygger Flash samarbejde
- • Toshiba udvikler 128 Gbit Flash
- • Rambus køber Unity Semiconductor
- • Digital controller til DDR hukommelse
- • Acal BFi vil forsyne markedet med hurtige synkrone SRAM'er
- • Nyt microSD kort sigter mod industriapplikationer
- • Toshiba klar med USB 3.0 kompatibel USB flash hukommelse
- • Første 256 GB CompactFlash kort
- • SLC NAND flash med indbygget fejlkorrektion
- • Industrigiganter samarbejder om den næste generation af memoryteknologier
- • Første single-chip 128 gigabit NAND flash-hukommelse
- • Ny embedded SRAM-teknik baner vej for markant reduktion af effektforbruget
Seneste nyheder
- • Kontron satser stort på den nyeste Intel Core i7 processorteknologi
- • LG demonstrerer 55 tommer OLED tv i Europa
- • Exova Metech tilbyder nu kalibrering af ESD pistoler
- • Mouser udbygger med leverandør af antenner til M2M applikationer
- • EBV-magasin om funktionel sikkerhed
- • Bluetooth audiomodul til trådløse højttalersystemer
- • Techno-Matic i nyt forretningsområde
- • Årets Elektropris er uddelt
- • Første SAR A/D-konverter med SPICE model
- • Premier Farnell får ny chef
- • Step-down konverter opererer med 96 procent effektivitet
- • Maxwell Technologies hos Digi-Key
- • Højeffektive DC/DC-konvertere i brick-format
- • Farnell udvider med GNSS/GPS receivere
- • Fuld HD LCD-modul med stor betragningsvinkel
- • Ny teknologi skræmmer fugle væk fra markerne
- • Silicon Labs køber 2,4 GHz specialisten Ember
- • Touch platform emulerer fysiske trykknapper
- • AMD udvider APU platformen med ny R-serie
- • Ericsson klar med ny generation af powermoduler
- • Første 4 Gbit LPDDR'er i 20nm teknologi
- • SemiSouth sampler første 650V SiC JFETs
- • Digi-Key i globalt samarbejde med t-Global Technology
- • austriamicrosystems bliver til 'ams'
- • Find spændende apps til OrCAD og Allegro på nettet