Medieplan 2012 DK
Send til en ven 
Udskriv1/2 2010 kl. 14:19Samsung udvikler 30nm DDR DRAM
Første 30nm DRAM er nu klar til evaluering hos Samsungs nøglekunder (in english).
Samsung Electronics announced that the industry's first 30-nanometer-class DRAM has just successfully completed customer evaluations, in two gigabit (Gb) densities.
With DDR3 SDRAM becoming the predominant main memory this quarter, Samsungs aggressive advancement in process technology will raise productivity and expedite dissemination of high performance, 1.5V and 1.35V DDR3 for servers, desktops and notebook PCs.
- Our accelerated development of next generation 30nm-class DRAM should keep us in the most competitive position in the memory market, says Soo-In Cho, president, Memory Division, Samsung Electronics.
- Our 30nm-class process technology will provide the most advanced low-power DDR3 available today and therein the most efficient DRAM solutions anywhere for the introduction of consumer electronics devices and server systems, he adds.
The 30nm-class process when applied to DDR3 mass production raises productivity by 60 percent over 40nm-class DDR3. This will result in a doubling of production cost-efficiency compared to DRAM produced using 50nm to 60nm-class technology.
The 30nm-class 2Gb, Green DRAM reduces power consumption by up to 30 percent over 50nm-class DRAM. A 4-Gigabyte (GB), 30nm module when used in a new-generation notebook will consume only three watts per hour, which is just three percent of the total power usage of a notebook.
The new DDR3 will be used in a broader range of products, from servers to notebooks, desktops, and future versions of netbooks and mobile devices. The 30nm-class DDR3 is scheduled for mass production in the second half of this year.
Relaterede nyheder
- • Første 4 Gbit LPDDR'er i 20nm teknologi
- • Micron udvikler DDR4 DRAM-modul
- • Micron og Intel hædres for Flash samarbejde
- • Intel og Micron udbygger Flash samarbejde
- • Toshiba udvikler 128 Gbit Flash
- • Rambus køber Unity Semiconductor
- • Digital controller til DDR hukommelse
- • Acal BFi vil forsyne markedet med hurtige synkrone SRAM'er
- • Nyt microSD kort sigter mod industriapplikationer
- • Toshiba klar med USB 3.0 kompatibel USB flash hukommelse
- • Første 256 GB CompactFlash kort
- • SLC NAND flash med indbygget fejlkorrektion
- • Industrigiganter samarbejder om den næste generation af memoryteknologier
- • Første single-chip 128 gigabit NAND flash-hukommelse
- • Ny embedded SRAM-teknik baner vej for markant reduktion af effektforbruget
Seneste nyheder
- • Kontron satser stort på den nyeste Intel Core i7 processorteknologi
- • LG demonstrerer 55 tommer OLED tv i Europa
- • Exova Metech tilbyder nu kalibrering af ESD pistoler
- • Mouser udbygger med leverandør af antenner til M2M applikationer
- • EBV-magasin om funktionel sikkerhed
- • Bluetooth audiomodul til trådløse højttalersystemer
- • Techno-Matic i nyt forretningsområde
- • Årets Elektropris er uddelt
- • Første SAR A/D-konverter med SPICE model
- • Premier Farnell får ny chef
- • Step-down konverter opererer med 96 procent effektivitet
- • Maxwell Technologies hos Digi-Key
- • Højeffektive DC/DC-konvertere i brick-format
- • Farnell udvider med GNSS/GPS receivere
- • Fuld HD LCD-modul med stor betragningsvinkel
- • Ny teknologi skræmmer fugle væk fra markerne
- • Silicon Labs køber 2,4 GHz specialisten Ember
- • Touch platform emulerer fysiske trykknapper
- • AMD udvider APU platformen med ny R-serie
- • Ericsson klar med ny generation af powermoduler
- • Første 4 Gbit LPDDR'er i 20nm teknologi
- • SemiSouth sampler første 650V SiC JFETs
- • Digi-Key i globalt samarbejde med t-Global Technology
- • austriamicrosystems bliver til 'ams'
- • Find spændende apps til OrCAD og Allegro på nettet