Cree klar med SPICE model for banebrydende SiC-baserede MOSFETs
Cree står bag industriens første kommercielt tilgængelig SiC MOSFET, og firmaet kan nu levere en fuldt kvalificeret SPICE model til brug i forbindelse med board-level simulering (in english).
Cree, Inc., a market leader in silicon carbide (SiC) power devices, has expanded its design-in support for the industry’s first commercially-available SiC MOSFET power devices with a fully-qualified SPICE model.
Using the new SPICE model, circuit designers can easily evaluate the benefits Cree’s SiC Z-FET MOSFETs provide for achieving a higher level of efficiency than is possible with conventional silicon power switching devices for comparably-rated devices.
SiC MOSFETs have significantly different characteristics than silicon devices and therefore require a SiC-specific model for accurate circuit simulations. Cree’s behavior-based, temperature-dependent SPICE model is compatible with the LT spice simulation program and enables power electronics design engineers to reliably simulate the advanced switching performance of Cree CMF10120D and CMF20120D Z-FETs in board-level circuit designs.
Cree SiC MOSFETs are capable of delivering switching frequencies that are up to 10 times higher than IGBT-based solutions. Their higher switching frequencies can enable smaller magnetic and capacitive elements, thereby shrinking the overall size, weight and cost of power electronics systems.
This SiC MOSFET SPICE model adds to Cree’s comprehensive suite of design-in support tools, technical documentation, and reliability information to provide power electronics engineers with the design resources necessary to implement SiC power devices into the next generation of power systems.
The Cree SiC MOSFET SPICE model is available for download at www.cree.com/power/mosfet.asp.
In addition, customers can download published specifications and detailed design guidelines and request samples. For more information about Cree’s SiC power devices:
www.cree.com/power.
Relaterede nyheder
- • Step-down konverter opererer med 96 procent effektivitet
- • Højeffektive DC/DC-konvertere i brick-format
- • Ericsson klar med ny generation af powermoduler
- • SemiSouth sampler første 650V SiC JFETs
- • Ny 600V IGBT platform
- • Würth Elektronik på vej med transformerkomponenter til trådløs opladning
- • Lattice introducerer helt ny power management arkitektur
- • Gate driver optokobler til krævende applikationer
- • Mouser og TDK-Lambda indgår global distributionsaftale
- • Infineon lancerer banebrydende 1200V SiC JFET familie
- • Vox Power - nu med flere output
- • Ny serie af 500V CoolMOS produkter
- • Ny driver til stepmotorer
- • Peregrine er klar med de første power management produkter
- • Op til 6kV fra blot 1,7 kubikcentimeter
Seneste nyheder
- • Kontron satser stort på den nyeste Intel Core i7 processorteknologi
- • LG demonstrerer 55 tommer OLED tv i Europa
- • Exova Metech tilbyder nu kalibrering af ESD pistoler
- • Mouser udbygger med leverandør af antenner til M2M applikationer
- • EBV-magasin om funktionel sikkerhed
- • Bluetooth audiomodul til trådløse højttalersystemer
- • Techno-Matic i nyt forretningsområde
- • Årets Elektropris er uddelt
- • Første SAR A/D-konverter med SPICE model
- • Premier Farnell får ny chef
- • Step-down konverter opererer med 96 procent effektivitet
- • Maxwell Technologies hos Digi-Key
- • Højeffektive DC/DC-konvertere i brick-format
- • Farnell udvider med GNSS/GPS receivere
- • Fuld HD LCD-modul med stor betragningsvinkel
- • Ny teknologi skræmmer fugle væk fra markerne
- • Silicon Labs køber 2,4 GHz specialisten Ember
- • Touch platform emulerer fysiske trykknapper
- • AMD udvider APU platformen med ny R-serie
- • Ericsson klar med ny generation af powermoduler
- • Første 4 Gbit LPDDR'er i 20nm teknologi
- • SemiSouth sampler første 650V SiC JFETs
- • Digi-Key i globalt samarbejde med t-Global Technology
- • austriamicrosystems bliver til 'ams'
- • Find spændende apps til OrCAD og Allegro på nettet