Seminarer • konferencer
kurser • messer
Send til en ven   Udskriv18/1 2012 kl. 13:04
Send til en ven

IGBT håndterer 1350V og 40A

Højtemperaturkomponent med integreret IGBT og reverse recovery-diode sparer plads og reducerer antallet af komponenter i induktive varme- og ovndesigns.

Toshiba Electronics Europe (TEE) annoncerer sin første integrerede high-speed IGBT med en nominel spænding på op til 1350V. Komponenten er designet til spændingsresonator inverter-switching og imødekommer dermed behovet for IGBT’er til højere nominelle spænding.
 
N-kanal 'enhancement mode' GT40RR21-komponenten sparer plads og reducerer antallet af komponenter ved at kombinere en IGBT og en reverse recovery overløbsdiode i en enkelt, kompakt, monolitisk komponent. Kredsen er velegnet til høje driftstemperaturer, og target-applicationerne for IGBT’erne inkluderer induktionsvarme og induktionsbaserede husholdningsapparater.
 
Toshibas nye komponenter understøtter high-speed drift og kan håndtere peak pulsstrømme helt op til 200A i 3µs. Lave turn-off switch-tab – typisk 0,3mJ ved en case-temperature (Tc) på 25ºC og 0.54mJ ved en Tc på 125ºC – sikrer en meget effektiv drift.
 
1350V GT40RR21’en er designet til drift med junc

tion-temperaturer op til 175ºC. Ved 25ºC er den maksimale collector-strøm 40A, hvilket kun falder med 5A ved temperaturer på 100ºC. Typisk mætningsspænding ved 25ºC (VCS(sat)) er blot 2,0V. Den maksimale diode forward-spænding/-strøm er nominelt 3,0V/20A.
 
GT40RR21 leveres i en TO-3P(N), TO247-ækvivalent kapsling, der har de beskedne ydermål på 15,5mm x 20,0mm x 4,5mm. Samples er tilgængelige for designere allerede nu, og masseproduktion er planlagt til Q3 2012.

Forrige12345678910111213141516
171819Næste

Elektronik & Data • Odsgard A/S • Stationsparken 25 • 2600 Glostrup • Tlf: +45 4345 1063