
N-kanals MOSFETs drivere
Linear Technology lancerer 100V high speed synkrone N-kanals MOSFET drivere, der opererer fra -40°C til 150°C (in english).
Linear Technology Corporation announces the H-grade version of the LTC4444/-5, a high-speed, high input supply voltage (100V), synchronous MOSFET gate driver designed to drive upper and lower power N-channel MOSFETs in synchronous rectified converter topologies.
This driver, combined with power MOSFETs and one of Linear Technology’s many DC/DC controllers, forms a complete high efficiency synchronous regulator. The LTC4444H/-5 operates over a junction temperature range of -40°C to 150°C, compared to the I-grade version’s -40°C to 125°C operating temperature range.
Adaptive shoot-through protection is integrated to minimize dead time while preventing both the upper and lower MOSFETs from conducting simultaneously. These powerful drivers can source up to 1.4A with a 1.5Ohm pull-down impedance for driving the top MOSFET and a source current of 1.75A with a 0.75Ohm pull-down impedance for the bottom MOSFET, making it ideal for driving high gate capacitance, high current MOSFETs.
The LTC4444H/-5 can drive multiple MOSFETs in parallel for higher current applications. Switching losses are minimized by the fast 8ns rise, 5ns fall time of the top MOSFET and 6ns rise, 3ns fall time of the bottom MOSFET when driving a 1,000pF load.
The LTC4444H/-5 is configured for two supply independent inputs. The high-side input logic signal is internally level-shifted to the bootstrap supply, which can function at up to 114V above ground. The LTC4444-5 drives both upper and lower MOSFET gates over a range of 4.5V to 13.5V and the LTC4444 drives both upper and lower MOSFET gates over a range of 7.2V to 13V.
Both parts are available in a thermally enhanced MSOP-8 package. Pricing starts at $2.00 each in 1,000-piece quantities.
www.linear.com/product/LTC4444.
Relaterede nyheder
- • Step-down konverter opererer med 96 procent effektivitet
- • Højeffektive DC/DC-konvertere i brick-format
- • Ericsson klar med ny generation af powermoduler
- • SemiSouth sampler første 650V SiC JFETs
- • Ny 600V IGBT platform
- • Würth Elektronik på vej med transformerkomponenter til trådløs opladning
- • Lattice introducerer helt ny power management arkitektur
- • Gate driver optokobler til krævende applikationer
- • Mouser og TDK-Lambda indgår global distributionsaftale
- • Infineon lancerer banebrydende 1200V SiC JFET familie
- • Vox Power - nu med flere output
- • Ny serie af 500V CoolMOS produkter
- • Ny driver til stepmotorer
- • Peregrine er klar med de første power management produkter
- • Op til 6kV fra blot 1,7 kubikcentimeter
Seneste nyheder
- • Kontron satser stort på den nyeste Intel Core i7 processorteknologi
- • LG demonstrerer 55 tommer OLED tv i Europa
- • Exova Metech tilbyder nu kalibrering af ESD pistoler
- • Mouser udbygger med leverandør af antenner til M2M applikationer
- • EBV-magasin om funktionel sikkerhed
- • Bluetooth audiomodul til trådløse højttalersystemer
- • Techno-Matic i nyt forretningsområde
- • Årets Elektropris er uddelt
- • Første SAR A/D-konverter med SPICE model
- • Premier Farnell får ny chef
- • Step-down konverter opererer med 96 procent effektivitet
- • Maxwell Technologies hos Digi-Key
- • Højeffektive DC/DC-konvertere i brick-format
- • Farnell udvider med GNSS/GPS receivere
- • Fuld HD LCD-modul med stor betragningsvinkel
- • Ny teknologi skræmmer fugle væk fra markerne
- • Silicon Labs køber 2,4 GHz specialisten Ember
- • Touch platform emulerer fysiske trykknapper
- • AMD udvider APU platformen med ny R-serie
- • Ericsson klar med ny generation af powermoduler
- • Første 4 Gbit LPDDR'er i 20nm teknologi
- • SemiSouth sampler første 650V SiC JFETs
- • Digi-Key i globalt samarbejde med t-Global Technology
- • austriamicrosystems bliver til 'ams'
- • Find spændende apps til OrCAD og Allegro på nettet