Seneste nyt om:

Seminarer • konferencer
kurser • messer
Send til en ven   Udskriv16/11 2010 kl. 11:19
Send til en ven

Ny familie af 25 V og 30 V power MOSFETs

IR’s familie af 25 V og 30 V power MOSFETs i ny performance-optimeret PQFN-pakning tilbyder designere en effektiv højdensitet løsning til industrielle POL-applikationer. 

International Rectifier (IR) har introduceret en ny familie af 25 V og 30 V power MOSFET-kredse, der er udstyret med IR’s nyeste HEXFET MOSFET silicium i en ny performance-optimeret 3 x 3 mm PQFN-pakning. De nye power MOSFET-kredse giver designere en højdensitet, pålidelig og effektiv løsning til DC/DC-konvertere i telecom-, netcom-, high-end desktop- og notebook computer applikationer.
 
Som følge af en forbedret produktionsteknologi kan IR’s nye performance-optimerede 3 x 3 mm PQFN-pakning klare en laststrømkapacitet, der er op til 60 procent højere end standard 3 x 3 mm PQFN kredse i det nye kompakte paknings-’footprint’, og samtidig er den samlede pakningsmodstand reduceret markant for at sikre en ekstrem lav on-state modstand (RDS(on)). 


Foruden den lave RDS(on) modstand har den nye performance-optimerede PQFN-pakning også en forbedret termisk ledningsevne samt en forbedret pålidelighed og er kvalificeret til industriklasse og fugtfølsomhedsniveau 1 (MSL1). 

IR’s performance-optimerede PQFN pakningsteknologi anvendes også til power MOSFET-kredse med et 5 x 6 mm paknings-’footprint, der gør det muligt at realisere designs, som kræver højere laststrømme uden behov for ekstra ’footprint’ sammenlignet med løsninger baseret på standard 5 x 6 mm PQFN kredse.

Den nye power MOSFET-familie indeholder kredse, der er optimeret til brug som kontrol-MOSFETs og som har en lav gate-modstand (Rg) for at reducere switchingtabene.  Til synkron MOSFET anvendelse indeholder familien kredse, der er implementeret som en såkaldt FETKY (monolitisk FET og Schottky diode) konfiguration, som giver en forbedret effektivitet og EMI performance ved at reducere reverse-recovery tiden.

Med en lav pakningsprofil på mindre end 1 mm er de nye power MOSFET-kredse kompatible med eksisterende SMT-teknikker, har et industristandard ‘footprint’ og er RoHS-compliant.

Relaterede nyheder

Forrige12345678910111213141516
171819Næste

Elektronik & Data • Odsgard A/S • Stationsparken 25 • 2600 Glostrup • Tlf: +45 4345 1063