Seminarer • konferencer
kurser • messer
Send til en ven   Udskriv27/5 2011 kl. 14:52
Send til en ven

Nye n-kanal power management MOSFET

Toshiba udvider sin familie af effekthalvledere med n-kanal power management MOSFET MOSFETs med ultralave ON-modstande.

Toshiba Electronics Europe (TEE) annoncerer en ny tilføjelse til sin familie af lavvolt MOSFETs. De nye n-kanal komponenter – som er en del af virksomhedens stadigt voksende familie i SSM-serien af småsignal MOSFETs – har karakteristika med særdeles lave tab, hvad der gør komponenterne ideelle til power management i en række bærbare, batteridrevne applikationer.

Med brug af Toshibas syvende generation af n-kanal procesteknologi er de nye SSM3K333R MOSFETs optimeret til switch-kravene ved standardspændinger. ON-modstandsværdierne (RDS(ON)) ligger på blot 42mΩ og 28mΩ ved switch-spændinger på henholdsvis VGS=4.5V og 10V.

Ud over den ekstremt lave ON-modstand, der sikrer de vigtige meget lave tab i batteridrevent udstyr, så er SSM3K333R også specificeret til en maximal drain-source spænding (VDSS) på 30V. Derfor er den nye komponent også kompatibel med mange industrielle power management applikationer.

Endnu en forbering er den nye SOT-23F kapsling, som giver betydeligt lavere termisk modstand sammenlignet med andre kapslingsstørrelser. Denne forbedring sikrer en maksimal nominel DC-strøm på 6A og en effektafsættelse fra drain på op til 1W fra en kapsling med dimensioner på blot 2,9mm x 2,4mm.

Forrige12345678910111213141516
171819Næste

Elektronik & Data • Odsgard A/S • Stationsparken 25 • 2600 Glostrup • Tlf: +45 4345 1063