Power, strømforsyning, EMC/ESD

 

1800W GaN-on-SiC transistorer

1800W GaN-on-SiC transistorer

Mouser lagerfører nu Qorvos kraftige 1800W QPD1025L GaN-on-SiC transistorer til aerospace-applikationer.

Mouser Electronics lagerfører nu QPD1025L gallium nitride (GaN) on silicon carbide (SiC) transistorer fra Qorvo. Med ydelser på op til 1,8 kW ved 65V er QPD1025 branchens kraftigste GaN-on-SiC RF-transistor med en høj signalintegritet og en udvidet båndbredde, hvad der er vitalt for L-band aerospace-formål og IFF-formål (identification friend or foe).

Den dokumentere ydelse og pålidelighed for GaN-teknologi gør Qorvos QPD1025L til et oplagt valg til infrastruktur, forsvars- og aerospace-applikationer som radar, kommunikation, navigation og lignende formål. Den øgede ydelse giver designere fleksibilitet til at tilføje højere systemydelse på mindre plads til færre omkostninger.


Qorvo QPD1025L, der er tilgænglig gennem Mouser Electronics, er en HEMT-transistor (high-electron-mobility transistor), der supporterer såvel pulserende som kontinuert wave (CW) drift med en langt højere ydelse end sammenlignelige siliciumbaserede LDMOS-komponenter. Med forsyning fra 65V giver komponenten et 22,5dB lineært gain og en typiskl power-added effektivitet (PAE3dB) på 77,2 procent. QPD1025L-transistoren har internt input-prematch, der forenkler match til eksterne boards – og igen sparer plads på printet.

Den blyfri, RoHS-kompatible transistor er supporteret af QPD1025L evaluerings-boardet.

www.mouser.com/qorvo-qpd1025l-rf-transistors
7/5 2018
  • Texim

    Texim

    Focus Suppliers Nordic