Power, strømforsyning, EMC/ESD

 

Ny powerløsning forbedrer energieffektiviteten i datacentre

Ny powerløsning forbedrer energieffektiviteten i datacentre

onsemi præsenterer nye powermoduler, der kan medvirke til en reduktion i energiforbruget i datacentre med op til 10 terawatt på globalt plan.

Del artiklen på

Den stigende datamængde, der genereres af AI-applikationer, lægger øget pres på datacentrenes energiforbrug. Især dataforbruget fra generativ AI er en udfordring, der kræver, at datacentre tænker i nye energieffektive baner, hvilket onsemi nu adresserer med nye powerløsninger til brug i datacentre.

Der er tale om løsninger, der kombinerer onsemis seneste generation T10 PowerTrenc-familie og EliteSiC 650V MOSFETs. I ét kompakt design giver det et powermodul med høj effektivitet og termisk ydeevne.

- AI og elektrificering stiller helt nye krav til strømforbruget. For at kunne følge med den teknologiske udvikling spiller powermoduler og energibesparende løsninger en afgørende rolle. Vores nyeste løsning reducerer effekttabene under energikonvertering markant, og det kommer til at få en stor betydning for den kommende generation af datacentre, siger Simon Keeton, Group President for Power Solutions Group hos onsemi.

Blot en enkelt AI-assisteret forespørgsel kræver ti gange mere strøm end en almindelig søgemaskineforespørgsel, da energien ved en AI-assisteret forespørgsel konverteres fire gange mellem netværket og processoren og medfører et energitab på omkring 12 procent. Derfor forventes energiforbruget i datacentre at nå 1000 TWh globalt inden for to år.

Global energibesparelse på 10 TWh årligt

Med T10 PowerTrench-serien og EliteSiC 650V MOSFET-løsningen kan datacentre reducere energitabet med 1 procent. Det betyder, at serien kan være med til at mindske det årlige globale energiforbrug med hele 10 TWh, hvilket svarer til energibehovet for én million hjem årligt.

EliteSiC 650V MOSFET leverer overlegen switch-ydeevne og lavere kapacitans, hvilket forbedrer produktiviteten i datacentre og energilagringssystemer. Sammenlignet med den tidligere generation har de nye siliciumcarbid (SiC) MOSFETs halveret gate-ladningen og reduceret den mængde energi, der lagres i udgangskapacitansen (Eoss) og udgangsladningen (Qoss) med 44 procent.

De nye powermoduler reducerer også switch-tabet væsentligt sammenlignet med super junction (SJ) MOSFETs. Derudover leverer powermodulerne fremragende ydeevne selv ved høje temperaturer. Det giver brugeren mulighed for at reducere størrelsen på systemkomponenterne og samtidig øge den operative switchfrekvens.

Øget effektdensitet

T10 PowerTrench-serien kan håndtere høje strømme og tilbyder øget strømtæthed samt bedre termisk ydeevne, hvilket er afgørende for DC-DC strømkonvertering. Det opnås gennem et skærm-gate design med ultralav gate-ladning og en RDS (on) på mindre end 1 milliohm.

Derudover minimerer soft recovery body diode sammen med en lavere Qrr, effektiviteten i både udsving, kortslutning og elektrisk støj. Det sikrer optimal ydeevne, driftssikkerhed og øget modstandsdygtighed, når systemet er under pres.

T10 PowerTrench-serien opfylder både de strenge standarder til bilapplikationer og Open Rack V3 (ORV3) -specifikationerne, som hyperscale-operatører kræver for at understøtte næste generation af processorer, der trækker høje strømme.

12/6 2024