SiC Schottky barrieredioder med lav forward-spænding
Toshiba præsenterer 10 nye tredje generations 1.200 V SiC Schottky barrieredioder i through-hole (leadede) versioner, der åbner mulighed for at reducere effekttabene i industrielt udstyr.
Toshiba Electronics udvider sin portefølje af siliciumcarbid (SiC) dioder med 10 nye 1.200 V Schottky barrieredioder (SBD’er). TRSxxx120Hx-serier består af fem produkter kapslet i TO-247-2L huse og fem i TO-247 huse, og de hjælper designere til at forbedre effektiviteten af industrielt udstyr som fotovoltaiske invertere (PV), ladestationer til elbiler (EV) samt switchede strømforsyninger.
Ved at implementere en forbedret junction-barriere Schottky (JBS) struktur opnår komponenterne i TRSxxx120Hx serien en meget lav forward-spænding (VF) på blot 1,27 V (typisk). Den integrerede PiN-Schottky embedded i en JBS-struktur reducerer diodetabene under forhold med høje strømme. TRS40N120H i den nye serie accepterer en forward DC-strøm (IF(DC)) på 40 A (max.) samt en ikke-repetitiv peak-forward surge-strøm (IFSM) på 270 A (max.) samt en maksimal case-temperatur (TC) for alle komponenter på +175°C.
Sammen med en lavere kapacitiv ladning og lækstrømme forbedrer disse produkter systemeffektiviteten og forenkler også det termiske design. For eksempel giver en reverse-spænding (VR) på 1.200 V en total kapacitiv ladning (QC) på kun 109 nC samt en reverse-strøm (IR) på blot 2 µA for en TRS20H120H diode kapslet i et TO-247-2L hus.
Følg dette link for at læse mere om den nye TRSxxx120Hx-serie af 1.200 V SiC Schottky barrieredioder.
