Memory

Rutronik og AP Memory indgår global distributionsaftale

Rutronik kan nu levere memoryprodukter fra AP Memory, der bl.a. omfatter IoT DRAM'er, special DRAM samt AI memoryløsninger (in english).

Distrelec udvider memory-programmet

Distrelec kan nu tilbyde DRAM memory-produkter fra Alliance Memory, der både tilbyder nye og legacy memory-produkter (in english).

Microchip entrerer markedet for hukommelser til infrastruktur-applikationer

Microchip går ind på markedet for hukommelsesinfrastruktur med seriel hukommelseskontroller til brug i forbindelse med computing i højt ydende datacenter applikationer.

NOR Flash hukommelse med embedded MAC adresser

Microchip præsenterer industriens første NOR Flash hukommelser, der inkluderer embedded MAC adresser, hvilket reducerer produktions-omkostninger og 'time-to-market' (in english).

USB 3.1 flash drive nøgle til IoT- og industriapplikationer
Memory ›Swissbit præsenterer et lille og robust USB 3.1 flash drive med fra 8 til 64GB hukommelse, der retter sig mod IoT og industrielle applikationer (in english).
Renesas præsenterer ny banebrydende Flash hukommelsesteknologi
Memory ›Renesas annoncerer nye embedded 28nm baseret Flash hukommelse med en kapacitet på op til 24 MB og en 'random access' operation ved rekordhøje 240 MHz (in english).
1Gbit seriel NAND Flash med dataoverførselshastighed på 83 MB/s
Memory ›Atlantik Elektronik lancerer ny NAND Flash familie fra Winbond, der kan operere med dataoverførselshastigheder på op til 83 MB/s via et QSPI interface (in english).
Rutronik and Wilk Elektronik indgår globalt dækkende distributionsaftale
Memory ›Rutronik indgår global distributionsaftale med det polske firma, Wilk Elektronik, der udbyder memoryprodukter under varemærket GOODRAM. Firmaet er den eneste europæiske producent af DRAM-moduler.
Samsung lancerer 3. generations 10nm-klasse DRAM'er
Memory ›Nye 8Gb DDR4 hukommelser baseret på den seneste 3. generations 10nm-klasse procesteknologi baner vejen for DRAM-løsninger med ultra-high performance og power-effektivitet (in english).
Første produkter med embedded MRAM i en 28nm procesnode
Memory ›Samsung Electronics har påbegyndt de første kommercielle forsendelser af embedded MRAM (eMRAM) produkter baseret på en 28nm FD-SOI fremstillings-proces (in english).
Samsung er klar med første 512GB eUFS hukommelse
Memory ›Samsung er nu i produktion med industriens første 512GB eUFS 3.0 hukommelse, som bl.a. udmærker sig ved at være omkring 20 gange så hurtig som microSD kort (in english).
Non-volatil FusionHD-teknologi udfordrer Flash
Memory ›Det amerikanske firma Adesto Technologies præsenterer FusionHD non-volatil hukommelsesteknologi, der kan operere med op til 70 procent mindre effekt i sammenligning med Flash (in english)
Første 1TB embedded hukommelse
Memory ›Samsung bryder som de første Terabyte grænsen for smartphone hukommelse med 1TB Embedded Universal Flash Storage
Swissbit holder liv i CompactFlash
Memory ›Der er stadig efterspørgsel efter CompactFlash i specielt ældre legacy-produkter, og Swissbit har netop præsenteret en række nye produkter, hvor den nyeste Flash-teknologi er integreret i det efterhånden gamle data-medieformat (in english).
Mouser indgår distributionsaftale med tysk memory-producent
Memory ›Mouser underskriver globalt dækkende distributionsaftale med Anvo-Systems Dresden, der har specialiseret sig inden for non-volatile SRAM'er (in english).
Rutronik kan tilbyde populære, men udfasede Cypress SRAM'er
Memory ›Rutronik er gået i samarbejde med Alliance Memory om fortsat levering af de stadig populære, men nu udfasede SRAM i Cypress' CY62256 serier (in english).
8 Mbit FRAM skubber SRAM'er ud af boardet
Memory ›Fujitsu lancerer 8 Mbit FRAM, industriens hidtil største, som kan eliminere behovet for SRAM og tilhørende back-up forsyning i industriel udstyr (in english).
Swissbit opbygger ny R&D- og produktionsfacilitet i Berlin
Memory ›Swissbit - der er den største uafhængige producent af embedded memory og flash storage løsninger i Europa - er påbegyndt opbygning af en helt ny R&D- og produktionsenhed i Berlin (in english).
Solid state disk controller med indbygget kunstig intelligens
Memory ›Marvell har præsenteret en arkitektur for opbygning af en solid state disk (SSD) controller, der inkluderer NVIDIA’s 'Deep Learning Accelerator' (NVDLA) teknologi (in english).
De første '4-bit' solid-state-drives til konsumermarkedet er nu i masseproduktion
Memory ›Samsung har nu indledt masseproduktionen af industriens første 4-bit (quad-level cell) 4TB SATA solid-state drive (SSD), der retter sig mod konsumerapplikationer (in english).
Lynhurtig Seriel NAND Flash
Memory ›Winbond har annonceret high-performance serielle 1 Gbit og 2 Gbit NAND Flash hukommmelser, der understøtter dataoverførselshastigheder på op til 83MB/s samt 166MB/s gennem et to-chip dual quad interface (in english)
State-of-the-art SOT-MRAM'er kan fremstilles på 300mm silicium-wafers
Memory ›Imec har demonstreret, at det er muligt at fremstille state-of-the-art spin-orbit torque (SOT) MRAM devices på 300mm silicium-wafers (in english).
Masseproduktion af 10nm-klasse 16Gb LPDDR4X DRAM'er
Memory ›Med sigte på brug i krævende automotive applikationer har Samsung startet masseproduktionen af 10nm-klasse 16Gb LPDDR4X DRAM'er (in english).
Første 256GB eUFS hukommelse er nu i produktion
Memory ›Samsung er nu i masseproduktion med 256KB 'embedded Universal Flash Storage, eUFS' hukommelse, der rettes sig mod automotive og andre miljømæssige krævende applikationer (in english).
800 GB Z-SDD til high performance computing og AI-applikationer
Memory ›Samsung præsenterer 800-Gigabyte Z-SSD (Solid State Disk) hukommelse, der sigter mod de mest krævende applikationer inden for high performance computing, IoT samt kunstig intelligens (in english)
8 Gigabyte DRAM med rekordhøj datatransmissionshastighed
Memory ›Samsung Electronics har startet produktionen af 8 Gigabyte hukommelser, der kan operere med en datatransmissionshastighed på 2,4 Gbit/s per pin (in english).
2. generations 10nm DRAM'er
Memory ›Samsung annoncerer, at de har påbegyndt masseproduktionen af de første 2. generations 10nm klasse DRAM'er (in english).
14TB hardisk drev i helium-forseglet indkapsling
Memory ›Toshiba Electronic Devices & Storage præsenterer verdens første 14TB HDD med konventionel magnetisk optagelse (in english).
Sikker USB-stik med fingeraftryk-tilgang til embedded applikationer
Memory ›Med afsæt i Hyperstone´s U9 controller og API software tilbyder Biolog Device en ny fingeraftryks-beskyttet USB-stik (in english).
Single-wire seriel EEPROM baner vej for remote identifikation
Memory ›Microchip præsenterer ny single-wire seriel EEPROM, der bl.a. er oplagt til brug i forbindelse med remote identifikation.
64 Mbit SuperFlash til batteriforsynede devices
Memory ›Low-voltage 64 Mbit seriel Quad I/O SuperFlash hukommelse fra Microchip kan reducere effektforbruget i batteriforsynede devices (in english).
Toshiba lancerer ultrakompakt USB flash drive
Memory ›Toshiba lancerer den hidtil mindst USB flash drive stick med op til 128GB hukommelse (in english).
Single package SSD'er med 64-lags 3D Flash hukommelse
Memory ›Toshiba's nye program af single package SSD'er baner vejer mindre, hurtige og mere power-effektive IoT devices (in english).
Samsung udvider produktionen af industrien hurtigste DRAM
Memory ›For at honorere den stigende markedsefterspørgsel annoncerer Samsung en produktionsudvidelse af firmaets 8GB HBM2 DRAM (in english).
Toshiba udvikler første 3D Flash hukommelse med TSV teknologi
Memory ›Toshiba har annonceret udviklingen af verdens første 3D Flash hukommelse, der benytter 'Through Silicon Via, TSV' teknologi, hvor vertikale elektroder og via'er sørger for interkonnekteringerne mellem chipdies (in english).
1,5TB Flash hukommelse i én pakning
Memory ›Toshiba udvikler verdens første QLC (quadruple-level cell) 3D Flash hukommelse, der baner vejen for at opbygge single-package Flash-hukommelser med en kapacitet på 1,5TB (in english).
Toshiba annoncerer 96-lags 3D Flash hukommelse
Memory ›Toshiba har udviklet en prototype-sample af en 96-lags BiCS tredimensionel (3D) Flash hukommelse (in english).
Samsung starter produktion af de første 64-lags 256Gb, 3-bit MLC V-NAND chips
Memory ›Samsung starter storskala produktion af 64-lags V-NAND hukommelser, der vil finde vej ind i de næste generationer af bl.a. SSD'er og embedded UFS hukommelsesprodukter (in english).
Embedded SRAM med rekordlavt standby forbrug
Memory ›Renesas annnocerer embedded SRAM med industriens laveste standby effektforbrug på 13,7 nW/Mbit og 1,84 ns højhastigheds readout (in english).
Gennembrud for CMOS-kompatibel ferroelektrisk hukommelse
Memory ›imec demonstrerer CMOS-kompatibel ferroelektrisk hukommelsesteknologi (in english).
Alliance Memory adresserer DDR3-leveringsproblemer
Memory ›Alliance Memory introducerer nye dieversioner af 2Gb og 4Gb DDR3 og DDR3L SDRAMs hukommelser, der i øjeblikket er en 'mangelvare' på markedet (in english).
Cypress skal levere NOR Flash hukommelser til krævede ADAS-platforme
Memory ›Cypress udvider samarbejdsaftale med Bosch Automotive omkring de næste generationer af ADAS-platforme til også at omfatte højpålidelige NOR Flash hukommelser (in english).
Sådan redder du indholdet fra din ødelagte harddisk
Memory ›Hvad gør du, hvis dit liv forsvinder fra computerens harddisk? Hvis tusindvis af familiebilleder og personlige dokumenter pludselig forsvinder ud i den blå luft?
SDRAM hukommelser er 'pin-til-pin' kompatible med udfasede Micron-produkter
Memory ›Alliance Memory tilbyder nu 512Mb SDRAM'er i 54-pin TSOP II pakning, der er pin-til-pin kompatible med udfasede Micron Technology devices (in english).

Næste side »

CFast

CompactFlash

HDD

SATADOM

SODIMM DRAM

SSD