3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.

Toshiba Electronics Europe udvider sit program med lanceringen af IX800FXF2YMS4, et dual SiC MOSFET-modul. 

Det nye modul udmærker sig bl.a. ved at kunne håndtere høje strømme til support af pålidelig drift i industrielt udstyr som invertere og motorer samt konvertere til brug i jernbanemateriel foruden effektkonverteringssystemer som solid-state transformere, UPS’er og energilagringssystemer. Det medvirker desuden til at forbedre systemeffektiviteten gennem reducerede lede- og switching-tab.

IX800FXF2YMS4 bruger Toshibas forbedrede 3. generations siliciumkarbid (SiC) MOSFET-komponenter. Moduler har en drain-source spænding (VDSS) på nominelt 3,300 V og tåler nominelt en (DC) drain-strøm på 800 A.

Det nye IX800FXF2YMS4-modul har en I2t på 300 kA2s for sin diodestrækning ved en initial kanaltemperatur på 175 °C, VGS = -6 V, en enkelt halv sinusformet 10 ms puls og en F.R.=1 %. Det understreger diodens evne til at håndtere peak-strømme under abnorme driftsforhold. Et optimeret SiC MOSFET-design gør denne ydelse mulig og hjælper til at forbedre systempålideligheden.

Desuden medvirker modulets lave lede- og switching-tab til en forbedret systemeffektivitet og hjælper desuden til at reducere kravene til køling af modulet. Typisk drain-source on-spænding (sense) (VDS(on)sense) er 1,4 V ved ID=800 A, VGS=+20 V og Tch=25 °C. Typiske turn-on og turn-off switching-tab (Eon and Eoff) er henholdsvis 185 mJ og 175 mJ ved VDD=1800 V, ID=800 A og Tch=175 °C.

Det nye modul er kapslet i et iXPLVTM (Intelligent Flexible Package Low Voltage) hus, som anvender en sølvsintret (Ag) die-attachment til forbedring af modstandsdygtighed over varme og øget pålidelighed med support af en kanaltemperatur på nominelt 175 °C. Modulet udvider Toshibas program af SiC MOSFET-moduler i iXPLV-kapslinger til at omfatte nu fire produkter.


19/10 2026
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).
  • 650V GaN med dobbeltsidet køling

    650V GaN med dobbeltsidet køling

    power ›Med sigte på brug i bl.a. AI datacentre præsenterer Renesas industriens første 650V GaN i en 8x8 mm pakning med dobbeltsidet køling (in english).
  • Trådløs overvågning af high-power modulbaserede batteriløsninger

    Trådløs overvågning af high-power modulbaserede batteriløsninger

    power ›Med introduktionen af DK-NFLNK bringer Dukosi firmaets kontaktløse kommunikationsløsning til battericelle-kommunikation i high-power batterier til mere traditionelle modulbaserede batteri-arkitekturer (in english).