IGB transistor med loddebart frontmetal
Ny automotiv-kvalificeret IGB transistor med loddebart frontmetal (SFM) giver en forbedret termisk ydeevne og en højere pålidelighed.
International Rectifier (IR) har introduceret en ny AUIRG7CH80K6B-M 1200V IGB transistor (Insulated Gate Bipolar Transistor) med loddebart frontmetal (Solderable Front Metal - SFM) til højstrøms, højvolt automotive invertermoduler, der anvendes i elbiler (Electrical Vehicles - EV) og hybridbiler (Hybrid Electric Vehicles - HEV) samt i medium-power drivapplikationer.
Den nye AUIRG7CH80K6B-M IGB transistor udnytter IR’s nyeste generation field-stop trench-teknologi for at reducere lede- og switchingtabene markant. Endvidere giver den nye transistors loddebare frontmetal (SFM) mulighed for dobbeltsidet køling for at forbedre den termiske ydeevne og gør det samtidig muligt at eliminere wire-bonds for at opnå en højere pålidelighed.
Traditionelt er wire-bonds en potentiel kilde til fejl i automotive invertermoduler. AUIRG7CH80K6B-M med loddebart frontmetal gør det muligt at anvende wire-bondfrie pakningsteknikker, der sammen med den dobbeltsidede kølingsegenskab giver invertermoduler en forbedret termisk ydeevne, en højere effektivitet og en større pålidelighed.
Af andre vigtige performancemæssige fordele kan nævnes et kvadratisk reverse bias-sikkert arbejdsområde (RBSOA), en maksimal arbejdstemperatur på op til 175°C, en høj spids turn-off evne, en positiv VCE(on) temperaturkoefficient og en kortslutnings-rating på 6 mikrosekunder. AUIRG7CH80K6B-M leveres udelukkende i die-form.
