CMOS-oscillator med høj præcision

CMOS-oscillator med høj præcision

IDT introducerer ren CMOS-oscillator med en total frekvenspræcision, der er bedre end 100 ppm.

Integrated Device Technology (IDT) lancerer hvad firmaet betegner som industriens mest præcise rene silicium CMOS-oscillator med en præcision bedre end 100ppm total frekvensafvigelse over temperatur, spænding og lignende faktorer.
I
DT3C02 bruger det patenterede IDT CMOS oscillator-teknologi, der erstatter kvartsbaserede krystalløsninger i en monolitisk CMOS IC, hvad der giver en frekvenspræcicion bedre end 100ppm samt en yderst lav formfaktor uden brug af hverken mekanisk frekvensgiver eller PLL.

Produktet er specifikt beregnet til at fungere sammen med næste generation af datalagre, datacom- og konnektivitets-interfaces som 1Gb Ethernet, SAS, SuperSpeed USB (USB 3.0) og PCI Express. Produktet er en low-jitter erstatning for almindelige krystaloscillatorer, hvad der gør produktet meget anvendeligt i server- og professionelle designs såvel som datacom-produkter med Ethernet-porte.

- Med sin præcision bedre end 100ppm er IDT3C02 et gennembrud inden for timing-komponenter. Det er et oplagt valg sammenlignet med kvartskrystaller, og produktet er en naturlig udvidelse af programmet af rene silicium CMOS-oscillatorer, som blev annonceret tidligere i år. Det er en teknologi, der cementerer IDT’s førende position inden for timing-kredsløb, siger Fred Zust, vicedirektør og chef for kommunikationsdivisionen hos IDT.

IDT3C02-oscillatoren genererer yderst præcise frekvenser på chippen uden brug af piezoelektriske eller mekaniske resonatorer. Komponenten er opbygget på en almindelige CMOS-proces med en programmerbar arkitektur og med support af flere konfigurationer, der passer til en lang række applikationer. Den mest kritiske parameter er frekvensen, der er programmeret fra fabrikken, og hvor selv skæve eller usædvanlige frekvenser kan leveres med korte lead-times sammenlignet med traditionelle kvartsløsninger.

Desuden er IDT3C02-oscillatoren designet med en unik analog kerne, som bruger under 2,5mA (typisk, ubelastet), hvilket er et alternativ med et meget lavt forbrug sammenlignet med højfrekvente kvarts- eller PLL-baserede oscillatorer, samtidigt med, at komponenten har det bedste fasestøjtal, -140dBc/Hz fasestøj ved 1MHz offset fra carrier-frekvensen. Komponenten leveres i standardiserede kvartskrystal-kompatible kapslinger på 5mm x 3,2mm hvilket eliminerer behovet for hermetisk forseglede keramiske kapslinger, da man i stedet kan bruge de billige, lavprofil MSL1 IC-plastkapslinger.

IDT3C02 har også et typisk standby-strømtræk på 200nA samt et hurtig opstart på 100ms (typisk). Det er en kombination, der gør kredsen ideel til effektkritiske designs med hyppige skift i forbruget, så det samlede energiforbrug kan holdes så lavt som muligt. Da komponenten ikke indeholder mekaniske elementer og i stedet genererer frekvensen elektronisk, er den monolitiske, rene siliciumløsning meget modstandsdygtig over for chok og vibrationer.

22/10 2010
  • Lauterbach og MathWorks løfter test af kritiske systemer til det næste niveau

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Lauterbach, der tilbyder debugging-løsninger til embedded systemer, og MathWorks annoncerer fuld integration af MathWorks Polyspace kodetestning og verifikationsprodukter i Lauterbach’s TRACE32 værktøjer.
  • Europæisk industriel Linux til sikre og suveræne embedded systemer

    Europæisk industriel Linux til sikre og suveræne embedded systemer

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›SYSGO præsenterer ELinOS 8, som er den seneste generation af firmaets industrielle Linux platforme, der er designet specielt til missionskritiske embedded systemer (in english).
  • Unik UWB-chip til positions- og tilstedeværelses-detektering

    Unik UWB-chip til positions- og tilstedeværelses-detektering

    kommunikation-iot-og-cybersikkerhed ›Infineon præsenterer AIROC UWB TSL100, der en single-chip løsning til præcis positionerings- og tilstedeværelses- (presence) detektering (in english).
  • SiC-MOSFET relæer til højspændings power- og testapplikationer

    SiC-MOSFET relæer til højspændings power- og testapplikationer

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›OMRON lancerer nye G3VH SiC-MOSFET-relæer med spændings-ratings på 3.300 V og 1.800 V, der tilbyder fordelene ved solid-state powereffektswitching ved bus- og batterispændinger på op til 1.000 V eller mere (in english).
  • Toshiba er klar med samples af nye 'entry-level' MCU'er

    Toshiba er klar med samples af nye 'entry-level' MCU'er

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Toshiba kan nu levere design-samples af firmaets TXZ+ Family Entry-Class M4H Group af standard microcontrollere.
  • XJTAG understøtter nu FTDI

    XJTAG understøtter nu FTDI

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›XJTAG, en førende leverandør af test- og programmeringsløsninger, understøtter nu FTDI's JTAG-controllerhardware i version 4.3 af XJTAG-softwaresuiten (in english).
  • Samarbejde skal fremme embedded GUI-økosystem

    Samarbejde skal fremme embedded GUI-økosystem

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›GigaDevice og Qt Group præsenterer vidtrækkende samarbejde, der sigter på at forbedre og optimere de grafiske interfaces (GUI'er) til embedded applikationer (in english).
  • 180 mio. til ny chipteknologi

    180 mio. til ny chipteknologi

    branche-og-teknologi ›Et nyt forskningsprojekt med et samlet budget på knap 24 mio. euro skal demonstrere, hvordan spintronik kan bane vej for en ny generation af europæiske chips. Aarhus Universitet får en central rolle i projektet.