Toshiba udvikler verdens første 256Gbit, 48-lags BiCS Flash
Innovativ stacket 3D-struktur booster kapacitet og ydelse i Flash hukommelser.
Toshiba Corporation lancerer en ny generation af BiCS FLASH, en stacket 3D-cellestruktur af flash-memories. Den nye komponent er verdens første 256-Gigabit (32Gigabytes) 48-lags BiCS-komponent, der samtidigt inkluderer den førende 3-bit-pr.-celle teknologi (tripleniveaucelle, TLC). Samples vil være være til rådighed i september.BiCS FLASH er baseret på en leading-edge 48-lags stacking-proces, der langt overstiger kapaciteten i todimensionelle NAND flash-memories med en samtidigt højere write-/erase- pålidelighed og hurtigere write-hastigheder. Den nye 256Gb-komponent egner sig til applikationer som forbruger SSD’er, smartphones, tablets og memory-cards samt enterprise-SSD’er til datacentre.
Siden annonceringen af BiCS FLASH-teknologien i juni 2007, har Toshiba fortsat udviklingen i retning af optimeret masseproduktion. For at imødekomme væksten på flash memory-markedet yderligere i 2016 og længere frem i tiden øger Toshiba proaktivt migrationen over til BiCS FLASH gennem et roll-out af en portefølje af memory-produkter rettet mod applikationer med en meget høj kapacitet som netop SSD-produkterne.
Toshiba er dedikeret til udvikling af flash-memories og er løbende ved at gøre sig klar til masseproduktion af BiCS FLASH på sin nye Fab2, Yokkaichi Operations, der er produktionssted for NAND flash-memories. Fab2 vil stå færdig i første halvdel af 2016.
