Automotiv-kvalificerede 40V MOSFETs

IR’s nye familie af 40 V automotiv-kvalificerede 'COOLiRFET' MOSFETs kan forbedre systemeffektiviteten i strømkrævende applikationer.

International Rectifier (IR) har netop introduceret en ny familie af automotiv-kvalificerede COOLiRFET MOSFETs, der udmærker sig ved en benchmark on-state modstand (Rds(on)) og er velegnede til strømkrævende applikationer, inkl. elektronisk servostyring (EPS), bremsesystemer og andre strømkrævende applikationer som f.eks. i intern forbrændingsmotor (ICE) platforme og i mikro-hybridbil platforme. 

Den nye familie består af 22 AEC-Q101 kvalificerede 40 V N-kanal MOSFETs og er baseret på IR’s gennemprøvede Gen12.7 trench teknologi, der giver en ultralav Rds(on) modstand i D2Pak-7P-, D2Pak-, DPak-, TO-262-, IPAK- og TO-220 pakninger.

F.eks. har AUIRFS8409-7P kredsen i D2Pak-7P pakningen en benchmark Rds(on) modstand så lav som 0,75 mOhm max. ved 10 Vgs med en specificeret strømkapacitet på op til 240 A. De nye MOSFET-kredse har lave ledetab og en robust avalanche-performance for at give en højere effektivitet, powerdensitet og pålidelighed. Med disse performancemæssige egenskaber kan mange applikationer, der anvender de nye COOLiRFET kredse, operere ved en betydelig lavere temperatur end med state-of-the-art MOSFETs.

- IR's nye familie af 40 V automotiv-kvalificerede COOLiRFET MOSFETs opnår en benchmark Rds(on) modstand i alle pakningsvariationer for at give designere en højeffektiv løsning til højstrøms automotive applikationer, der kræver en høj ydeevne og samtidig reducerer de samlede systemomkostninger, siger Jifeng Qin, der er produktchef for automotive MOSFETs i IR’s forretningsdivision for automotive produkter.

IR’s automotiv-kvalificerede MOSFETs gennemgår en grundig dynamisk og statisk komponent-gennemsnitstestning kombineret med en 100 procent automatiseret visuel inspektion på waferniveau som en del af IR’s automotive kvalitetsinitiativ, der sigter efter nul fejl. De nye MOSFET-kredse er AEC-Q101 kvalificerede, hvilket kræver, at der ikke er mere end en 20 procents ændring af transistorernes Rds(on) modstand efter 1.000 temperaturtestcyklusser. Kredsene udmærker sig endvidere ved en miljøvenlig, blyfri og RoHS-compliant Bill-of-Materials (BoM).
www.irf.com.

15/5 2013