IR klar med nye 'Power Block' kredse
International Rectifiers lancerer nye Power Block kredse til synkrone buck DC/DC-konverterapplikationer.
International Rectifier (IR) har introduceret to nye 25 V dual N-kanal HEXFET power MOSFET kredse, IRFH4251D og IRFH4253D, der er de første medlemmer i en familie af innovative Power Block kredse til synkrone buck DC/DC-konverterapplikationer, inkl. avanceret telecom- og netcomudstyr, servere, grafikkort og desktop-, Ultrabook- og notebook computere.De nye 25 V IRFH4251D og IRFH4253D Power Block kredse er udstyret med IR’s nyeste generation silicium i en helt ny pakning, der giver designere benchmark powerdensitet i en 5 x 6 mm PQFN-pakning.
De nye Power Block kredse er forsynet med en integreret monolitisk FETKY, og en innovativ pakning, der anvender en avanceret ‘flipped-die’ teknologi, som giver en effektiv spredning af varmen fra den synkrone MOSFET’s source direkte til printkortets ground-lag.
Som følge af den forbedrede termiske performance og den øgede powerdensitet kan én af de nye 5 x 6 mm dual power MOSFET-kredse erstatte to 5 x 6 mm standard single power MOSFET-kredse. Den nye pakning udnytter også IR’s proprietære single kobber-clip, der allerede anvendes i firmaets PowIRStage og SupIRBuck produkter, samt et optimeret layout, som reducerer spredningsinduktans markant for at sænke spids-ringing. Dette giver designeren mulighed for at anvende 25 V MOSFETs i stedet for mindre effektive 30 V MOSFET-kredse.
IRFH4251D og IRFH4253D er optimeret til 5 V gatedriver applikationer og arbejder med enhver controller eller driver for at give en stor designfleksibilitet og samtidig give designere en pladsbesparende power MOSFET løsning med højere strøm-, effektivitets- og frekvensegenskaber i et lille paknings-‘footprint’ sammenlignet med alternative metoder, der anvender to diskrete 30 V power MOSFETs.
http://www.irf.com/whats-new/nr130801.html
