IR lancerer ny IGBT-generation
IR’s nye Gen8 1200 V IGBT teknologiplatform baner vejen for mere effektive og robuste industrielle applikationer (in english).
International Rectifier (IR) har netop introduceret en ny generation IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) teknologiplatform. Generation 8 (Gen8) 1200 V IGBT platformen er baseret på IR’s nyeste generation 'trench-gate Field-Stop' teknologi, som ifølge IR tilbyder klassens bedste Vce(on).- Med udviklingen af denne nye benchmark teknologi og avancerede state-of-the-art IGBT siliciumplatform understreger IR sit årtiers engagement i udviklingen af effektelektronikteknologi. Vores mål er at opnå en 100 procent 'inverterization' af alle elmotorer for at sikre en mere effektiv anvendelse af elenergi samt et grønnere miljø, siger Alberto Guerra, der er vice president for strategisk markedsudvikling i IR’s forretningsdivision for energispareprodukter.
Den nye teknologi giver blødere turn-off karakteristikker, der er ideelt til motordrevapplikationer, minimerer dv/dt for at reducere EMI og overspænding, hvilket giver en øget pålidelighed og robusthed. En snæver distribution af parametre giver en fremrangede egenskaber for strømdeling, når man parallelkobler multiple IGBT-transistorer i højstrøms powermoduler. 'Thin wafer' teknologien resulterer i en forbedret termisk modstand og en maksimal specificeret junction-temperatur på op til 175°C.
- IR’s Gen8 IGBT platformen er målrettet til industrielle applikationer. Med klassens bedste Vce(on), en høj robusthed og excellente switchingkarakteristikker er denne IGBT-platform blevet specielt skræddersyet til at kunne håndtere de krævende udfordringer på det industrielle marked, siger Llewellyn Vaughan-Edmunds, der er IGBT produktmarketingchef i IR’s forretningsdivision for energispareprodukter.
www.irf.com
