Ny kapsling til effekt MOSFETs med reduceret on-modstand og termisk modstand

Toshiba præsenterer næste generation af effekt kapslinger til effekt MOSFETs, der tilbyder en markant reduktion af både on-modstand og termisk modstand (in english).

Toshiba Electronics Europe lancerer to nye N-kanal effekt-MOSFETs, 80 V-typen TPM1R908QM og 150 V-typen TPM7R10CQ5. De to nyeste komponenter bruger Toshibas innovative SOP Advance(E) kapsling, der er designet til kunne forbedre ydelsen i switch-mode strømforsyninger til krævende industrielt udstyr samt datacentre og kommunikations basestationer i betydelig grad.

Den nye SOP Advance(E) kapsling er en markant forbedring i forhold til Toshibas eksisterende SOP Advance(N) kapsling med en reduktion af kapslingsmodstanden med rundt regnet 65 % og den termiske modstand med omtrent 15 %.

Disse forbedringer af kapslingens ydelse kan direkte oversættes til en overlegen komponentydelse. 80 V-typen TPM1R908QM udviser en reduktion af drain-source on-modstanden (RDS(ON)) på ca. 21 % samt en reduktion af den termiske channel-case modstand (Rth(ch-c)) på ca. 15 % i forhold til Toshibas eksisterende produkt, TPH2R408QM, til samme spændingsniveau.

Tilsvarende opnår 150 V TPM7R10CQ5-MOSFET’en en ca. 21 % lavere RDS(ON) og en ca. 15 % lavere Rth(ch-c) end Toshibas eksisterende TPH9R00CQ5, igen til den samme spænding. TPM7R10CQ5 er udstyret med en high-speed body-diode for øget effektivitet ved synkrone ensretterapplikationer.

Reduktionerne i on-modstand og den mindre temperaturstigning som følge af en bedre termisk modstand bidrager samlet til en lavere overordnet on-modstand selv med tanke på de positive temperaturkarakteristika. Kombinationen medfører i sidste ende lavere tab og højere effektivitet i kritiske applikationer som switch-mode strømforsyninger til krævende industrielt udstyr samt datacentre og kommunikations basestationer.

TPM1R908QM tåler nominelt en drain-source spænding (VDSS) på 80 V, en drain-strøm (ID) på 238 A (Tc=25 °C) med en max. RDS(ON) på 1,9 mΩ (VGS=10 V). TPM7R10CQ5 tilbyder en VDSS på 150 V, en ID på 120 A (Tc=25 °C) samt en max. RDS(ON) på 7,1 mΩ (VGS=10 V). Begge komponenter tåler en kanaltemperatur (Tch) på 175 °C med en max. Rth(ch-c) på 0,6 °C/W (Tc=25 °C). SOP Advance(E) kapslingen har et footprint på 4,9 mm × 6,1 mm.

For at hjælpe til kredsløbsdesigns til switch-mode strømforsyninger leverer Toshiba også en G0 SPICE-model for hurtig funktionsverificering af kredsløb, ligesom meget præcise G2 SPICE-modeller giver en nøjagtig repræsentation af transientkarakteristika.

Toshiba er dedikeret til en løbende udbygning af sin portefølje af effekt-MOSFETs for at hjælpe til mere effektive strømforsyninger, som dermed giver en reduktion af det samlede systemforbrug af udstyret.