Nye 150 V og 200 V MOSFETs
IR introducerer en ny serie af 150 V og 200 V MOSFETs med meget lav gateladning til industrielle applikationer.
International Rectifier (IR) lancerer en ny serie af 150 V og 200 V HEXFET power MOSFETs, der udmærker sig ved en ultralav gateladning (Qg) til industrielle applikationer, inkl. switch-mode strømforsyninger (SMPS), nødstrømsanlæg (UPS’ere), invertere og DC motordrev.
De nye 150 V MOSFETs har op til 59 procent lavere total gateladning end konkurrerende kredse på markedet, mens de nye 200 V MOSFETs har op til 33 procent lavere total gateladning end konkurrerende kredse, fremhæver IR.
I takt med udviklingen af mere avancerede DC/DC powerkonverter applikationer, der anvender stadig højere switchingfrekvenser, spiller input kapaciten og gateladning en signifikant rolle for den samlede effektivitet.
Kredsene er optimeret til hurtige switch-kredsløb, hvor lave switch-tab er en afgørende faktor for at opnå en høj effektivitet, og de er derfor velegnet som primær-switch til isolerede DC/DC-konvertere til telecom-applikationer eller til effektivt at drive svage belastninger i enhver avanceret DC/DC-applikation.
De nye MOSFETs er kvalificeret til industriklasse og fugtfølsomhedsniveau 1 (MSL1). Kredsene fås i TO220, D2PAK, TO262, DPAK og IPAK pakninger og er endvidere blyfri og RoHS-compliant.
