Common-mode filter med 10 GHz afskæringsfrekvens

Common-mode filter med 10 GHz afskæringsfrekvens

TDK udvider familien af EMC-komponenter med tyndfilms-baseret common-mode filter med afskæringsfrekvens på 10 GHz (in english).

TDK Corporation has developed a new thin-film common-mode filter with the world’s highest cutoff frequency of 10 GHz, enabling it to efficiently reduce high frequency noise emissions, especially in the 5 GHz band.

The common-mode insertion loss peak of the new TCM0806T-060-2P filter is thus much higher than that of existing common-mode filters, which achieve their best noise suppression in the range from several hundred MHz to 2.5 GHz.

The high cutoff frequency of the new filter ensures that no signal degradation occurs when the filter is used in communication circuits for high-speed interfaces such as Thunderbolt, USB 3.0, and Serial-ATA (Gen III), making the thin-film common-mode filter suitable for sophisticated electronic devices with high signal transfer speeds.

The new component, which offers a typical impedance of 6 Ω at 100 MHz, measures in at 0.85 x 0.65 x 0.40 mm3 (EIA case size 0806). Mass production is scheduled to start from August 2012.

In recent years, digital electronic devices have evolved towards higher performance, multi-functionality, and higher data handling volumes. Consequently, the speed of signal transfer has increased as well. As a result the noise components generated within such a device are generally of a higher frequency as well.

At the same time, space is limited and components need to be extremely small and thin for higher mounting density. Since multiple signal paths exist in close proximity in a single device, interference from one may affect the signal in another, leading to signal quality deterioration known as internal contamination.

TDK harnessed its high frequency expertise and proprietary thin-film patterning technology to create a miniature component that features extremely compact and highly precise coil patterns and is thus able to offer the performance demanded in high-speed digital devices.

28/8 2012
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).
  • 650V GaN med dobbeltsidet køling

    650V GaN med dobbeltsidet køling

    power ›Med sigte på brug i bl.a. AI datacentre præsenterer Renesas industriens første 650V GaN i en 8x8 mm pakning med dobbeltsidet køling (in english).