Cree lancerer komplet SiC-bestykket powermodul

Cree lancerer komplet SiC-bestykket powermodul

SiC-pioneren Cree lancerer højeffektive powermoduler, der forsynet med SiC-Schottky dioder og SiC MOSFETs (in english).

Cree is showcasing the superior performance and reliability of its silicon carbide (SiC) power technology with the introduction of the first commercially available all-SiC Cree power module.  The new high frequency module, rated at 100A current handling and 1200V blocking, allows higher efficiency, compact and lighter weight systems that can result in lower total system costs compared to conventional silicon-based technologies.

- Ann all-SiC module with these specifications enables us to meet our transit customers’ demands for reduced size and weight of auxiliary power converters, while meeting efficiency and cost targets, says Fisal Al-Kayal, innovation and research engineer, Alstom Belgium Transport.

The module includes SiC MOSFETs and SiC Schottky diodes in a 50mm half-bridge configuration rated to 150°C maximum junction temperature.  The SiC components enable the module to be operated at exceptionally high switching frequencies that can reduce the size, weight and cost of the power conversion system. The new power module has demonstrated up to 100 kHz switching frequency. Target applications include high power converters, industrial motor drives, solar inverters and uninterruptible power supplies.

- The 1200V, 100A dual module extends our existing discrete MOSFET and diode products into higher power applications, explains Dr. Mrinal Das, product marketing manager, Cree Power and RF.
- The efficient switching characteristics of an all-SiC module should allow system designers to meet customer demands for reduced size, weight and cost of the end-system, while reducing global energy consumption. Already, Cree SiC power devices have eliminated an estimated one million metric tons of annual CO2 emissions – the equivalent to planting 95 million trees.”    

Parts are available for immediate shipping through Digi-Key Corporation (http://www.digikey.com/Suppliers/us/Cree.page?lang=en) and
Mouser Electronics (http://www.mouser.com/new/cree/cree-MOSFETdiode/) 

Sample gate drivers are available upon request to Cree for module customers. 
www.cree.com/sic-modules.

19/11 2012
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).
  • 650V GaN med dobbeltsidet køling

    650V GaN med dobbeltsidet køling

    power ›Med sigte på brug i bl.a. AI datacentre præsenterer Renesas industriens første 650V GaN i en 8x8 mm pakning med dobbeltsidet køling (in english).