IDT og Intel samarbejde om wireless opladning

IDT og Intel går i samarbejde om udvikling af integreret løsning til Intel's såkaldte 'Wireless Charging' teknologi (in english).

Intel has selected IDT to develop an integrated transmitter and receiver chipset for Intel’s wireless charging technology based on resonance technology. Wireless charging ICs by IDT will provide industry-leading size and cost reduction, while simplifying product development and integration. Intel, along with IDT, aims to deliver validated reference designs that are targeted for deployment in Ultrabooks, all-in-one (AiO) PCs, smartphones, and standalone chargers.

- Our extensive experience in developing the innovative and highly integrated IDTP9030 transmitter and multi-mode IDTP9020 receiver has given IDT a proven leadership position in the wireless power market, says Arman Naghavi, vice president and general manager of the Analog and Power Division at IDT.

- We welcome the advancements in resonance technology and will support its continued success by delivering the most integrated and full-featured ICs in the world. IDT is excited to collaborate with Intel and looks forward to playing a key role in the proliferation of wireless power technology, resulting in benefits for IDT customers and shareholders.

- We think the ability to have a wire-free charging experience with a broad ecosystem of devices like keyboards, mice, storage devices, cameras and smartphones will be realized in the near future, says Gary Huang, director of PC Growth and Innovation at Intel.
- We are delighted to work with IDT to accelerate the progress toward that vision with their unique and proven skill to integrate the required features and functionality into a monolithic solution. Customers and consumers alike have asked for a fully mobile wireless charging experience, and it is our objective to deliver it through the power of PC.
 
IDT is targeting samples of a resonance receiver IC by the end of the year, and the transmitter IC is expected to sample in the first half of 2013. For more information about IDT’s wireless power transmitter and receiver ICs:
www.wirelesspowerbyidt.com.

3/9 2012
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).
  • 650V GaN med dobbeltsidet køling

    650V GaN med dobbeltsidet køling

    power ›Med sigte på brug i bl.a. AI datacentre præsenterer Renesas industriens første 650V GaN i en 8x8 mm pakning med dobbeltsidet køling (in english).