IR lancerer dedikerede automotive power MOSFETs

International Rectifier introducerer automotive power MOSFETs, der er optimeret til piezoelektriske indsprøjtningssystemer til diesel- og benzinmotorer.

International Rectifier (IR) har lanceret to nye automotiv-kvalificerede power MOSFETs, benævnt AUIRFR4292 og AUIRFS6535, der har en lav on-state modstand (Rds(on)) og er velegnede til piezoelektriske indsprøjtningssystemer (Piezo Injectors) til både diesel- og benzinmotorer.



De nye AUIRFR4292 og AUIRFS6535 kredse, der er baseret på IR’s nyeste generation af gennemprøvet automotiv power MOSFET teknologi, udvider det store udvalg i IR’s automotiv-kvalificerede MOSFET portefølje med kredse med en breakdown-spænding på op til 300 V. 250 V MOSFET-kredsen AUIRFR4292 har en maksimal Rds(on) modstand på 345 mOhm i en DPAK pakning, mens 300 V MOSFET-kredsen AUIRFS6535 har en maksimal Rds(on) modstand på 185 mOhm i en standard D2PAK pakning.



Disse nye 250 V og 300 V power MOSFETs, der har en lav Rds(on) modstand i standard overflademonterede pakninger, er velegnede til Piezo Injector applikationer, hvor der kræves en høj spænding til at drive aktuatorerne og sikre en hurtigere reaktion og en mere præcis styring og kontrol end de traditionelle magnetiske solenoide indsprøjtningssystemer.



IR’s automotiv-kvalificerede MOSFETs gennemgår en grundig dynamisk og statisk komponent-gennemsnitstestning kombineret med en 100 procent automatiseret visuel inspektion på waferniveau som en del af IR’s automotive kvalitetsinitiativ, der sigter efter nul fejl.



En AEC-Q101 kvalifikation kræver, at der ikke er mere end en 20 procents ændring af transistorens Rds(on) modstand efter 1.000 temperaturtestcyklusser. Efter at have gennemgået IR’s udvidede temperaturtest, hvor kredsene blev udsat for 5.000 temperaturcyklusser, havde IR’s nye AU Bill-of-Materials (BoM) kredse imidlertid en maksimal Rds(on) modstandsændring på mindre end 10%, hvilket viser AU BoM kredsenes store styrke og robusthed.



De nye MOSFET-kredse er kvalificeret efter de automotive AEC-Q101 standarder og udmærker sig ved en miljøvenlig, blyfri og RoHS-compliant BoM.



Datablade, applikationsnoter og kvalifikationsstandarder for de nye power MOSFET-kredse kan hentes på International Rectifier’s web-site, www.irf.com. IR kan om ønsket også levere Spice- og Saber-modeller.
14/9 2012
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).
  • 650V GaN med dobbeltsidet køling

    650V GaN med dobbeltsidet køling

    power ›Med sigte på brug i bl.a. AI datacentre præsenterer Renesas industriens første 650V GaN i en 8x8 mm pakning med dobbeltsidet køling (in english).