Komponenter til wireless power applikationer

Toshiba klar med nye serie af MOSFETs og Schottky dioder til wireless power trransfer applikationer (in english).

Toshiba Electronics Europe (TEE) has expanded its line-up of small-signal, medium-power Schottky barrier diodes (SBDs) and MOSFETs that are especially suitable for wireless power transfer applications.

The range of devices covers single and dual n- and p-channel MOSFETs as well as SBDs. The miniature devices are optimised to meet the low power consumption and compact form factor demands of wireless charging applications for portable, battery-powered devices such as mobile phones, digital cameras and video recorders, tablet computers and notebook PCs.
 
Among the new devices is a MOSFET ideally suited to load switching in a wireless charging transmitter circuit. The 30V SSM6N55NU is the industry’s highest performance dual -channel MOSFET in a UDFN6 package measuring just 2.0mm x 2.0mm x 0.75mm. A drain current of just 4A and a maximum ON resistance (RDS(ON)) down to 46mΩ ensure high-efficiency operation. The device joins a comprehensive family of MOSFETs that combine low RDS(ON) with ultra-compact packaging.
 
Toshiba’s latest single and dual SBDs are rated for reverse voltages of 30V and feature very low forward voltage (VF) ratings down to just 0.45V. Ultra-miniature packaging options range from USC (SOD-323) with dimensions of 2.5mm x 1.25mm x 0.9mm to CST2B options that measure just 1.2mm x 0.8mm x 0.6mm.
 
Applications for the new MOSFETs and diodes include load switching, low-voltage rectification, bridge circuits and reverse current protection.

10/9 2012
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).
  • 650V GaN med dobbeltsidet køling

    650V GaN med dobbeltsidet køling

    power ›Med sigte på brug i bl.a. AI datacentre præsenterer Renesas industriens første 650V GaN i en 8x8 mm pakning med dobbeltsidet køling (in english).