150 V high-side driver-IC

IR introducerer 150 V high-side driver-IC med intern Vs genopladning til hårde automotive applikationer.

International Rectifier (IR) introducerer en ny AUIRS2016S kreds, som er en 150V high-side driver-IC til automotive gatedriver applikationer, inkl. fælles brændstof-indsprøjtning, diesel- og benzin direkte indsprøjtningsapplikationer og solenoide drivere. 
Den nye AUIRS2016S kreds er en højvolts power MOSFET high-side gatedriver, der er udstyret med en intern Vs-til-GND genopladnings NMOS. Kredsens output driver er forsynet med et 250 mA høj-pulsstrøm buffertrin.

Driverkanalen kan anvendes til at drive en N-kanal power MOSFET i high-side konfigurationen, der opererer med spændinger på op til 150 V over ground. AUIRS2016S er også forsynet med negativ spændingsspids immunitet (-Vs) for at beskytte systemet mod katastrofale hændelser, der kan forekomme under højstrøms-switching og kortslutningstilstande.

AUIRS2016S er en robust, højpålidelig IC, der er designet til at imødekomme de krævende funktionskrav, som stilles til automotive motorkontrolsystemer under bilens motorhjelm, og er målrettet til energieffektive applikationer, som f.eks. diesel- og benzin direkte indsprøjtningssystemer.

AUIRS2016S er kvalificeret til de automotive AEC-Q100 standarder og indeholder 5 V kompatible logikniveau inputs, et high-side output og intern low-side Vs genopladning, CMOS Schmitt-trigger inverteret input med pull-up modstand og CMOS Schmitt-trigger inverteret reset med pull-down modstand.

Den nye driver-IC benytter IR’s avancerede højvolt IC-proces, der inkorporerer den nyeste generation af højvolt niveauskift- og termineringsteknologi for at afgive en høj elektrisk overstress beskyttelse og en høj feltpålidelighed.

29/9 2009
  • Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    power ›Microchip præsenterer POL-05-20S-T, der er en strålingstolerant point-of-load (POL) konverter, der er designet til at imødekomme de høje effektkrav i rumapplikationer med mere (in english).
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).