Automotive-kvalificeret gatedriver-IC

IR’s nye kompakte automotiv-kvalificerede gatedriver-IC AUIR0815S reducerer og forenkler drivsystemdesign i hybrid- og elbiler.

International Rectifier (IR) har lanceret en ny automotive-kvalificeret gatedriver-IC, type AUIR0815S, der er i stand til at levere en meget høj outputstrøm på over 10 A til at drive store IGBT-transistorer eller MOSFETs i invertertrin til drivsystemet i hybridbiler og elbiler.
 
AUIR0815S kredsens meget lave outputimpedans og meget lave effekttab gør den velegnet til at operere i barske automotive miljøer med høje omgivelsestemperaturer. Den typiske outputmodstand er 90 mOhm sink og 180 mOhm source. Kredsen er også udstyret med negativ Vgs drivfunktionalitet og kontinuerlig on-state egenskab som følge af et integreret PMOS-output i parallel med high-side pull-up NMOS’en.

Kredsens to adskilte outputs, OUTH og OUTL, giver mulighed for valg af to forskellige eksterne modstande til opladning og afladning af gaten, hvilket er afgørende for at sikre en effektiv kontrol med EMI- og CdV/dT effekter i højeffekt motordrev- og switch-mode strømforsyningsapplikationer.
 
AUIR0815S forenkler designet af invertersystemer ved at have en høj strømdrivkapacitet og indeholde alle de nødvendige beskyttelsesfunktioner samt opfylde alle de krævede kvalifikationskrav til det barske automotive drivsystemmiljø.
 
Ved en lav inputspændingstilstand på kredsens IN-pin bliver OUTL-spændingen trukket ned til VEE, der gør det muligt at operere med en negativ drivspænding for at opnå en effektiv margin-justering og et bredt udvalg af IGBT-transistorer. Intern ‘shoot-through’ forhindringslogik styrer OUTH- og OUTL outputtene for at undgå samtidig ledning og dermed sikre et optimalt dødtidsdelay. Det er endvidere muligt at aktivere en lav hvilestrømsmode via en LPM input-pin, som reducerer IC’ens strømforbrug på bekostning af længere funktionsdelays.
 
Den nye gatedriver-IC er kvalificeret efter de automotive AEC-Q100 standarder og er indkapslet i en industristandard SO-8 pakning, som udmærker sig ved en miljøvenlig, blyfri og RoHS-compliant Bill-of-Materials (BoM). Kredsen er en del af IR’s automotive kvalitetsinitiativ, der sigter efter nul fejl.
 
AUIR0815S kredsen fås i en 8-pin SOIC-pakning og kan leveres i produktionskvantiteter nu. Datablade og kvalifikationsstandarder kan hentes på International Rectifier’s web-site:
www.irf.com

9/2 2012
  • Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    power ›Microchip præsenterer POL-05-20S-T, der er en strålingstolerant point-of-load (POL) konverter, der er designet til at imødekomme de høje effektkrav i rumapplikationer med mere (in english).
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).