Designmanual for mikroelektroniske relæer

IR introducerer den såkaldte 'Microelectronic Relay Designers Manual', der kan lette arbejdet med produktudvælgelsen og forenkle kredsløbsdesignet.

International Rectifier (IR) har introduceret en CD-baseret 'Microelectronic Relay Designers Manual', der indeholder en udvælgelsesguide, applikationsnoter, datablade og designtips om firmaets omfattende portefølje af mikroelektronik relæer (MER).
 
IR's udvalg af mikroelektronik relæer indeholder både MOSFET- og IGBT-baserede fotoelektriske relæer og fotoelektriske isolatorprodukter. De MOSFET-baserede kredse er ideelle solid-state relæer til switching af AC- og DC-belastninger og sensorsignaler fra nogle få milliampere til flere hundrede watt i industrielle kontrolapplikationer, instrumentering, periferi telecomudstyr, computer periferiudstyr og -kontorudstyr.

Kredsene i denne portefølje, der er forsynet med power MOSFET-outputs i en DIP6 pakning med center-tap outputkonfigurationer, giver mulighed for at opnå en øget designfleksibilitet for AC/DC- og DC-only parametriske valg. Det IGBT-baserede fotoelektriske relæ er ideelt til switching af industrielle belastninger på op til 400 W eller 280 VA. Denne kreds leveres i en DIP14 pakning og er designet som en drop-in erstatning for kviksølvvædede reed-relæer.
 
De fotoelektriske isolatorer har single- og dual-kanal, optisk isolerede outputs, der kan anvendes til direkte at drive gatene på diskrete power MOSFETs og IGBT’ere, og giver derved designere mulighed for på fleksibel vis at skabe deres egne, skræddersyede solid-state relæer, der er i stand til at styre belastninger på over 1.000 V og 100 A.
 
IR’s mikroelektronik relæer er blyfri og RoHS-compliant. 'Microelectronic Relay Designers Manual' kan bestilles på International Rectifier’s web-site, www.irf.com

25/8 2011
  • Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    power ›Microchip præsenterer POL-05-20S-T, der er en strålingstolerant point-of-load (POL) konverter, der er designet til at imødekomme de høje effektkrav i rumapplikationer med mere (in english).
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).