IGBT håndterer 1350V og 40A

IGBT håndterer 1350V og 40A

Højtemperaturkomponent med integreret IGBT og reverse recovery-diode sparer plads og reducerer antallet af komponenter i induktive varme- og ovndesigns.

Toshiba Electronics Europe (TEE) annoncerer sin første integrerede high-speed IGBT med en nominel spænding på op til 1350V. Komponenten er designet til spændingsresonator inverter-switching og imødekommer dermed behovet for IGBT’er til højere nominelle spænding.
 
N-kanal 'enhancement mode' GT40RR21-komponenten sparer plads og reducerer antallet af komponenter ved at kombinere en IGBT og en reverse recovery overløbsdiode i en enkelt, kompakt, monolitisk komponent. Kredsen er velegnet til høje driftstemperaturer, og target-applicationerne for IGBT’erne inkluderer induktionsvarme og induktionsbaserede husholdningsapparater.
 
Toshibas nye komponenter understøtter high-speed drift og kan håndtere peak pulsstrømme helt op til 200A i 3µs. Lave turn-off switch-tab – typisk 0,3mJ ved en case-temperature (Tc) på 25ºC og 0.54mJ ved en Tc på 125ºC – sikrer en meget effektiv drift.
 
1350V GT40RR21’en er designet til drift med junction-temperaturer op til 175ºC. Ved 25ºC er den maksimale collector-strøm 40A, hvilket kun falder med 5A ved temperaturer på 100ºC. Typisk mætningsspænding ved 25ºC (VCS(sat)) er blot 2,0V. Den maksimale diode forward-spænding/-strøm er nominelt 3,0V/20A.
 
GT40RR21 leveres i en TO-3P(N), TO247-ækvivalent kapsling, der har de beskedne ydermål på 15,5mm x 20,0mm x 4,5mm. Samples er tilgængelige for designere allerede nu, og masseproduktion er planlagt til Q3 2012.
18/1 2012
  • Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    power ›Microchip præsenterer POL-05-20S-T, der er en strålingstolerant point-of-load (POL) konverter, der er designet til at imødekomme de høje effektkrav i rumapplikationer med mere (in english).
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).