MOSFET gatedrivere med forøget pålidelighed

MOSFET gatedrivere med forøget pålidelighed

Linear Technology lancerer 6A N-kanals MOSFET gate drive, der kan operere i junction temperaturområde fra -55°C to 125°C (in english). 

Linear Technology Corporation announces a new high reliability (MP-grade) version of the LTC4441, a 6A N-channel MOSFET gate driver that operates over a -55°C to125°C operating junction temperature range.

This high power driver is designed to increase the output power and efficiency of a DC/DC controller, enabling it to drive high power N-channel MOSFETs or multiple MOSFETs in parallel. Its gate drive voltage is adjustable from 5V to 8V, allowing designers to choose either standard threshold or logic level MOSFETs.

With a wide input supply range from 5V to 25V, the LTC4441 provides a simplified solution for increasing the output power capability of power supplies in telecom, industrial systems and motor control applications.

The LTC4441 includes an easily adjustable 5V to 8V onboard linear regulator for its gate drive voltage and IC power. The propagation delay when driving a 4.7nF capacitance with 7.5V drive voltage is only 30ns. Adjustable leading edge blanking prevents ringing when sensing the source current in the power MOSFETs.

The LTC4441 has a robust TTL/CMOS-compatible input that can be driven below ground or above the driver supply. Other protection features are undervoltage lockout and overtemperature circuits, which disable the driver output when activated.
The LTC4441 is packaged in a thermally enhanced 10-lead MSOP. 
www.linear.com/product/LTC4441.

6/4 2011
  • Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    power ›Microchip præsenterer POL-05-20S-T, der er en strålingstolerant point-of-load (POL) konverter, der er designet til at imødekomme de høje effektkrav i rumapplikationer med mere (in english).
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).