MOSFETs til automotive applikationer

MOSFETs til automotive applikationer

IR introducerer ny familie af robuste automotiv-kvalificerede MOSFETs, der er optimeret til en lav on-state modstand.

International Rectifier (IR) har introduceret firmaets første dedikerede familie af automotiv-kvalificerede MOSFETs til et bredt spektrum af applikationer, der kræver MOSFETs med en lav on-state modstand (RDS(on)) som f.eks. elektronisk servostyring (EPS), integreret startgenerator (ISA) pumpe- og motorkontrol, DC/DC-konvertering, batteri-switch og andre meget strømkrævende applikationer på intern forbrændingsmotor- (ICE) og hybridbil platforme. 

De nye automotiv-kvalificerede MOSFET-kredse, der er baseret på IR’s gennemprøvede Gen 10.2 teknologi, har en meget lav on-state RDS(on) modstand på helt ned til max. 1,0 mOhm, og leveres i en lang række spændingsversioner fra 24 V til 100 V i mange forskellige SMD- og hulmonterbare pakninger. Flere af kredsene har en garanteret maksimum strømrating på op til 240 A i en D2Pak-7P pakning og 195 A i en D2Pakning.

IR’s automotive MOSFETs gennemgår en grundig dynamisk og statisk komponent gennemsnitstestning kombineret med en 100 procent automatiseret visuel inspektion på waferniveau som en del af IR’s automotive kvalitetsinitiativ, der sigter efter nul fejl.

En AEC-Q101 kvalifikation kræver, at der ikke er mere end en 20 procents ændring af transistorens RDS(on) modstand efter 1.000 temperaturtestcyklusser. Efter at have gennemgået IR’s udvidede temperaturtest, hvor kredsene blev udsat for 5.000 temperaturcyklusser, havde IR’s nye AU Bill-of-Materials (BOM) kredse imidlertid en maksimal RDS(on) modstandsændring på mindre end 10 procent, hvilket viser AU BoM kredsenes store styrke og robusthed.

14/4 2010
  • Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    power ›Microchip præsenterer POL-05-20S-T, der er en strålingstolerant point-of-load (POL) konverter, der er designet til at imødekomme de høje effektkrav i rumapplikationer med mere (in english).
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).