N-kanals MOSFETs drivere

N-kanals MOSFETs drivere

Linear Technology lancerer 100V high speed synkrone N-kanals MOSFET drivere, der opererer fra -40°C til 150°C (in english).

Linear Technology Corporation announces the H-grade version of the LTC4444/-5, a high-speed, high input supply voltage (100V), synchronous MOSFET gate driver designed to drive upper and lower power N-channel MOSFETs in synchronous rectified converter topologies.

This driver, combined with power MOSFETs and one of Linear Technology’s many DC/DC controllers, forms a complete high efficiency synchronous regulator. The LTC4444H/-5 operates over a junction temperature range of -40°C to 150°C, compared to the I-grade version’s -40°C to 125°C operating temperature range.

Adaptive shoot-through protection is integrated to minimize dead time while preventing both the upper and lower MOSFETs from conducting simultaneously. These powerful drivers can source up to 1.4A with a 1.5Ohm pull-down impedance for driving the top MOSFET and a source current of 1.75A with a 0.75Ohm pull-down impedance for the bottom MOSFET, making it ideal for driving high gate capacitance, high current MOSFETs.
The LTC4444H/-5 can drive multiple MOSFETs in parallel for higher current applications. Switching losses are minimized by the fast 8ns rise, 5ns fall time of the top MOSFET and 6ns rise, 3ns fall time of the bottom MOSFET when driving a 1,000pF load.

The LTC4444H/-5 is configured for two supply independent inputs. The high-side input logic signal is internally level-shifted to the bootstrap supply, which can function at up to 114V above ground. The LTC4444-5 drives both upper and lower MOSFET gates over a range of 4.5V to 13.5V and the LTC4444 drives both upper and lower MOSFET gates over a range of 7.2V to 13V.

Both parts are available in a thermally enhanced MSOP-8 package. Pricing starts at $2.00 each in 1,000-piece quantities. 
www.linear.com/product/LTC4444.

 

21/2 2011
  • Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    power ›Microchip præsenterer POL-05-20S-T, der er en strålingstolerant point-of-load (POL) konverter, der er designet til at imødekomme de høje effektkrav i rumapplikationer med mere (in english).
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).