Ny 25 V DirectFET MOSFET

Ny 25 V DirectFET MOSFET

IR’s 25 V IRF6718 MOSFET i ny forstørret DirectFET pakning tilbyder særdeles lav on-state modstand til aktiv ’OR’-ing- og  hot-swap applikationer.

International Rectifier (IR) introducerer en ny IRF6718 DirectFET MOSFET. Den nye 25 V DirectFET MOSFET tilbyder ifølge IR branchens laveste on-state modstand (RDS(on)) og er optimeret til DC switch-applikationer som f.eks. aktiv ’OR’-ing, hot-swap og elektronisk sikring (E-sikring).

IRF6718 er baseret på IR’s nyeste generation silicumteknologi og er firmaets første DirectFET MOSFET, der er indkapslet i en forstørret DirectFET pakning. Med en ekstrem lav RDS(on) modstand på blot 0,5 mOhm (typisk) ved en Vgs spænding på 10 V og en

DirectFET pakning med et 60 procent mindre flademål og en 85 procent lavere profil end en D2PAK-pakning reducerer den nye MOSFET-kreds markant ledetabene, der er knyttet til gennemgangselementet, hvilket forbedrer effektiviteten af hele systemet betydeligt.

Sammenlignet med konkurrerende kredse  opnår MOSFET’ens meget lavere RDS(on) modstand en høj effektivitet og en fremragende termisk ydeevne til højdensitet DC/DC applikationer, som f.eks. servere, i en DirectFET pakning med et mindre flademål end en D2PAK-pakning, påpeger IR.

Den nye MOSFET-kreds gør det endvidere muligt at reducere den krævede boardplads og de samlede systemomkostninger sammenlignet med eksisterende løsninger, da der kræves færre komponenter for et givet effekttab.

IRF6718 udmærker sig endvidere ved at have et forbedret sikkert arbejdsområde (SOA) til E-sikrings- og hot-swap kredsløb. Kredsen er blyfri og RoHS-compliant.
IRF6718 er en udbygning af IR’s 25 V DirectFET familie, der er målrettet til DC switch-applikationer. IRF6717 i medium DirectFET pakning og IRF6713 i small DirectFET pakning er også målrettet til DC switch-applikationer og har branchens bedste RDS(on) modstand inden for deres respektive PCB ’footprints’. 
http://www.irf.com/whats-new/nr090806.html

De typiske stykpriser for IRF6718L2TR1PbF starter ved 1,50 US dollars for mængder af 10.000 styk. Den angivne pris er med forbehold for ændringer. IRF6718L2TR1PbF kan leveres i produktionsmængder nu.

26/8 2009
  • Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    power ›Microchip præsenterer POL-05-20S-T, der er en strålingstolerant point-of-load (POL) konverter, der er designet til at imødekomme de høje effektkrav i rumapplikationer med mere (in english).
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).