Ny controller forbedrer effektiviteten i PoE devices

Ny controller forbedrer effektiviteten i PoE devices

Linear Technology lancerer diode bridge controller, der kan minimere tab og varmeudledning i 'Power over Ethernet, PoE' devices (in english).

Linear Technology Corporation introduces the LT4321, an ideal diode bridge controller that replaces two diode bridge rectifiers with low-loss N-channel MOSFET bridges to increase the available power and reduce heat dissipation in a Power over Ethernet Powered Device (PoE PD).



IEEE 802.3 PoE specifications require PDs to accept DC supply voltages of any polarity over their Ethernet inputs. The space- and power-efficient LT4321 dual active bridge rectifies and smoothly combines power from both the data and spare pairs into a single, polarity-correct supply output.



Circuit size and cost are reduced as the enhanced power efficiency eliminates heat sinking requirements. Power savings of 10x or more enables PDs to stay within PoE classification levels or to add value-rich functionality while maintaining class.



Carefully designed to be compliant with IEEE 802.3, the LT4321’s bias current does not corrupt detection and classification. Working with 2- or 4-pair Ethernet, the controller is compatible with PoE, PoE+ and LTPoE++ standards. An integrated charge pump provides the gate drive for the eight low on-resistance N-channel MOSFETs without requiring external capacitors.



Although designed for PoE PDs, the LT4321’s 20V to 80V operating range with a 100V absolute maximum makes it suitable and robust for telecom applications employing batteries or reversible supplies. Dual-polarity enable pins provide shutdown capability to the LT4321, reducing its bias current to 32µA from the 0.5mA operating current.



Specified over the -40°C to 125°C ambient temperature range, the LT4321 is offered in a compact 16-pin 4mm x 4mm QFN package.







24/10 2013
  • Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    power ›Microchip præsenterer POL-05-20S-T, der er en strålingstolerant point-of-load (POL) konverter, der er designet til at imødekomme de høje effektkrav i rumapplikationer med mere (in english).
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).