Ny familie af 25 V og 30 V power MOSFETs

Ny familie af 25 V og 30 V power MOSFETs

IR’s familie af 25 V og 30 V power MOSFETs i ny performance-optimeret PQFN-pakning tilbyder designere en effektiv højdensitet løsning til industrielle POL-applikationer. 

International Rectifier (IR) har introduceret en ny familie af 25 V og 30 V power MOSFET-kredse, der er udstyret med IR’s nyeste HEXFET MOSFET silicium i en ny performance-optimeret 3 x 3 mm PQFN-pakning. De nye power MOSFET-kredse giver designere en højdensitet, pålidelig og effektiv løsning til DC/DC-konvertere i telecom-, netcom-, high-end desktop- og notebook computer applikationer.
 
Som følge af en forbedret produktionsteknologi kan IR’s nye performance-optimerede 3 x 3 mm PQFN-pakning klare en laststrømkapacitet, der er op til 60 procent højere end standard 3 x 3 mm PQFN kredse i det nye kompakte paknings-’footprint’, og samtidig er den samlede pakningsmodstand reduceret markant for at sikre en ekstrem lav on-state modstand (RDS(on)). 

Foruden den lave RDS(on) modstand har den nye performance-optimerede PQFN-pakning også en forbedret termisk ledningsevne samt en forbedret pålidelighed og er kvalificeret til industriklasse og fugtfølsomhedsniveau 1 (MSL1). 

IR’s performance-optimerede PQFN pakningsteknologi anvendes også til power MOSFET-kredse med et 5 x 6 mm paknings-’footprint, der gør det muligt at realisere designs, som kræver højere laststrømme uden behov for ekstra ’footprint’ sammenlignet med løsninger baseret på standard 5 x 6 mm PQFN kredse.

Den nye power MOSFET-familie indeholder kredse, der er optimeret til brug som kontrol-MOSFETs og som har en lav gate-modstand (Rg) for at reducere switchingtabene.  Til synkron MOSFET anvendelse indeholder familien kredse, der er implementeret som en såkaldt FETKY (monolitisk FET og Schottky diode) konfiguration, som giver en forbedret effektivitet og EMI performance ved at reducere reverse-recovery tiden.

Med en lav pakningsprofil på mindre end 1 mm er de nye power MOSFET-kredse kompatible med eksisterende SMT-teknikker, har et industristandard ‘footprint’ og er RoHS-compliant.

16/11 2010
  • Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    power ›Microchip præsenterer POL-05-20S-T, der er en strålingstolerant point-of-load (POL) konverter, der er designet til at imødekomme de høje effektkrav i rumapplikationer med mere (in english).
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).