Ny generation af automotive grade MOSFETs

Ny generation af automotive grade MOSFETs

IR’s nye automotive MOSFETs leveres i ny WideLead TO-262 pakning, der bl.a. reducerer ledermodstanden med 50 procent.

International Rectifier (IR) introducerer nu en ny familie af automotiv-kvalificerede MOSFETs, der er indkapslet i en helt ny såkaldt WideLead TO-262 pakning, som reducerer ledermodstanden med 50 procent sammenlignet med traditionelle TO-262 pakninger og samtidig kan klare 30 procent højere strøm.
 
De nye automotiv-kvalificerede MOSFETs, der er designet til generisk strømkrævende/ højeffekt hulmonterede applikationer, som kræver MOSFETs med en lav on-state modstand (Rds(on)) som f.eks. i elektronisk servostyring (EPS) og batteriswitche i intern forbrændingsmotor (ICE) biler og i mikro-hybrid- og fuld-hybridbiler, kombinerer IR’s avancerede silicium- og ’state-of-the-art’ pakningsteknologier for at give en signifikant ydelsesmæssig forbedring og samtidig være kompatible med eksisterende designstandarder.
 
I standard TO-262 hulmonterede pakninger kan MOSFET’ens source- og drainledere øge modstanden med op til 1 mOhm i tilgift til MOSFET’ens indre on-state modstand (Rds(on)).

Den nye WideLead TO-262 hulmonterede pakning reducerer source- og drain ledermodstanden til mindre end en halv milliohm, hvilket reducerer ledetabene og varmegenereringen i lederne markant og resulterer i, at WideLead TO-262 pakningen har en 30 procent højere strømkapacitet end en traditionel TO-262 pakning for en given arbejdstemperatur. 

Under evalueringen var WideLead TO-262- pakningens ledertemperatur 30 procent lavere end standard TO-262 pakningen ved DC-strømme på 40 A og 39 procent lavere ved DC-strømme på 60 A. Endvidere resulterer andre pakningsmæssige forbedringer i, at en MOSFET i WideLead TO-262 pakningen har en 20 procent lavere Rds(on) modstand sammenlignet med den samme MOSFET i en standard TO-262 pakning. 
www.irf.com. 

7/6 2011
  • Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    power ›Microchip præsenterer POL-05-20S-T, der er en strålingstolerant point-of-load (POL) konverter, der er designet til at imødekomme de høje effektkrav i rumapplikationer med mere (in english).
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).