Nye 30 V MOSFETs

Nye 30 V MOSFETs

International Rectifier lancerer 30V HEXFET MOSFETs i TO-220-pakning (in english).

International Rectifier (IR) har lanceret en ny serie af industrikvalificerede 30 V HEXFET power MOSFETs i TO-220 pakning. De nye 30 V MOSFETs udmærker sig ved en ekstrem lav gateladning (Qg) og er velegnede til applikationer, der omfatter UPS nødstrømsforsyningsinvertere, eldrevne værktøjer, ’OR’-ing applikationer og netcom- og server strømforsyninger.

De robuste MOSFETs er baseret på IR’s nyeste generation Trench-teknologi og har en meget lav on-state modstand (RDS(on)) for at reducere kredsens varmeafgivelse. Endvidere medvirker de nye kredses ultralave gateladning til at forlænge batterilevetiden i UPS invertere eller batteridrevne værktøjer.

MOSFET’ene har fuldt karakteriseret avalanche-spænding og -strøm og er direkte erstatninger for og opgraderinger af firmaets eksisterende 30 V TO-220 MOSFETs, idet IR bliver ved med at udvikle nye benchmark MOSFETs.

Kredsene er kvalificeret til industriklasse og fugtfølsomhedsniveau 1 (MSL1). De nye 30 V MOSFETs leveres alle i en TO-220 pakning og er blyfri og RoHS-compliant. 
www.irf.com.

22/9 2009
  • Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    power ›Microchip præsenterer POL-05-20S-T, der er en strålingstolerant point-of-load (POL) konverter, der er designet til at imødekomme de høje effektkrav i rumapplikationer med mere (in english).
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).