Nye HEXFET MOSFETs

Nye HEXFET MOSFETs

IR introducerer nye 20 V, 25 V og 30 V MOSFETs i PQFN-pakning til OR-ing- og motordrevne applikationer.

International Rectifier (IR) har lanceret en nye familie af HEXFET power MOSFETs, inkl. en 20 V IRFH6200TRPbF kreds, der har industriens laveste on-state modstand (RDS(on)). De nye power MOSFETs er baseret på IR’s nyeste siliciumteknologi og er firmaets første kredse, der fås i en 5 x 6 mm PQFN-pakning med optimeret kobberklemme og lodde-die.

Den nye 20 V IRFH6200TRPbF MOSFET-kreds udmærker sig ved at have en industriførende RDS(on) modstand på blot 1,2 mOhm (max.) ved en Vgs spænding på 4,5 V med henblik på at nedskære ledetabene markant i DC-motordrevne applikationer som f.eks. håndværktøjer.

De nye 25 V IRFH5250TRPbF og 30 V IRFH53xxTRPbF MOSFET-kredse er designet til DC switch-applikationer som f.eks. aktiv OR-ing og DC-motordrevne applikationer, der kræver power MOSFETs med en høj strømhåndteringsevne og en høj effektivitet. IRFH5250TRPbF har en ultra lav RDS(on) modstand på 1,15 mOhm (max.) kombineret med en gateladning (Qg) på blot 52 nC, mens IRFH5300TRPbF har en RDS(on) modstand på blot 1,4 mOhm (max.) kombineret med en gateladning (Qg) på 50 nC.

Foruden at give en fremragende termisk ydeevne resulterer anvendelsen af de nye IRFH6200TRPbF, IRFH5250TRPbF og IRFH53xxTRPbF kredse i, at det krævede boardareal og omkostningerne reduceres sammenlignet med eksisterende løsninger, da der kræves færre komponenter for et givent effekttab.

Alle de nye power MOSFET-kredse har en lav termisk modstand (<0,5°C/W), er kvalificeret til industriklasse og fugtfølsomhedsniveau 1 (MSL1) og er RoHS-compliant og indeholder derfor ikke bly, bromid eller halogen.

2/3 2010
  • Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    power ›Microchip præsenterer POL-05-20S-T, der er en strålingstolerant point-of-load (POL) konverter, der er designet til at imødekomme de høje effektkrav i rumapplikationer med mere (in english).
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).