SMD NMOS-transistor til høje temperaturer

CISSOID introducerer en højtemperatur (225°C) dual NMOS transistor i kompakt CSOIC16 SMD pakning (in english).

CISSOID, a leader in high temperature semiconductor solutions, introduced a dual high temperature 40V N-channel MOSFET Transistor. Available in the small footprint, surface mounting, hermetically sealed ceramic SOIC16 package, this new device will help designers to achieve the highest system density.

It can switch currents up to 2A and provides a fully reliable solution for continuous operation over the same temperature range as all CHT products from CISSOID: from -55°C to +225°C. 
         
Named MOON, the product is part of CISSOID’s PLANET product family of high temperature, high reliability transistors and switches. The tiny CSOIC16 package and its pin-out are optimized to reduce parasitic inductors and capacitors when both N-channel MOSFET’s are used in a push-pull stage, such as in DC-DC Converters and Motor Drives.

CHT-MOON N-channel MOSFETs transistors exhibit outstanding high temperature performances. At 225°C, the gate leakage current remains below 100nA, while its drain off current doesn’t exceed 3.5µA and its turn-on delay time is only 30ns. The on-resistance and input capacitance are respectively as low as 0.40Ω and 370pF.

CHT-MOON is available immediately for sampling and evaluation in Ceramic SOIC16 package.
www.cissoid.com 

18/3 2011
  • Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    power ›Microchip præsenterer POL-05-20S-T, der er en strålingstolerant point-of-load (POL) konverter, der er designet til at imødekomme de høje effektkrav i rumapplikationer med mere (in english).
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).