Strålingshærdede spændingsregulatorer

Strålingshærdede spændingsregulatorer

IR’s nye serie af RAD-Hard strålingshærdede ultra-lav dropout spændingsregulatorer giver designere en højdensitet løsning til effektbegrænsede højpålidelige applikationer

International Rectifier (IR) har introduceret de første kredse i en serie af højstrøms, ultra-lav dropout (ULDO) RAD-Hard strålingshærdede hybride, lineære spændingsregulatorer til krævende rumfartsapplikationer, inkl. satellitter og løfteraketter.

Ved at udnytte sin omfattende viden og ekspertise i design af strålingshærdede, højpålidelige produkter til militær- og rumfart markedssektorerne har IR udviklet en innovativ kontrol-IC og bypass-transistor til den nye ULDO familie, der resulterer i signifikante performance- og ydelsesmæssige forbedringer i forhold til alternative løsninger, hvilket gør de nye ULDO regulatorer velegnede til brug i effektbegrænsede applikationer, der kræver en høj powerdensitet.

De rumniveau screenede kredse, der er designet til ‘point-of-load’- (POL) og efter DC/DC powerkonverteringsapplikationer, har en lav dropout-spænding på blot 0,4 V ved fuld 3 A belastning. De nye regulatorer indeholder en Silicon-On-Insulator (SOI) CMOS regulator-IC, har en høj latch-up- og SEU (Single Event Upset) immunitet samt fremragende TID- (Total Ionizing Dose) og ELDRS (Enhanced Low Dose Rate Sensitivity) testegenskaber på over 100 Krad med en forsvindende lille effekt på reguleringstolerancen. Kredsene har endvidere en hurtig transientrespons, tidsstyret latch-off overstrømsbeskyttelse og intern termisk beskyttelse samt on/off-kontrol via en afbryde-pin.

De nye ULDO kredses justerbare regulatorer kan levere outputspændinger på helt ned til 0,8 V, der er kompatibel med de nye FPGA’ere, som anvendes i rumfartsudstyr.

26/8 2010
  • Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    Strålingstolerant GaN-baseret POL-konverter

    power ›Microchip præsenterer POL-05-20S-T, der er en strålingstolerant point-of-load (POL) konverter, der er designet til at imødekomme de høje effektkrav i rumapplikationer med mere (in english).
  • RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    RECOM powerdesigns integreres nu i CELUS designplatformen

    power ›En række af RECOM's powerdesigns bliver nu en del af CELUS designplatformen, hvor de indgår i 37 af CELUS's såkaldte CUBO's, der kan beskrives som digitale datablade (in english)
  • Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    Ultrakompakt 600W AC/DC-strømforsyning

    power ›Vox Power har udvidet sin EIRE-familie af single-output AC/DC-strømforsyninger med EIRE600, der er kompakt 600 W-strømforsyning, som måler blot 5 × 3 tommer og har en ekstremt lav profil på 1,1 tommer (in english).
  • 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr

    power ›Toshiba lancerer ny 3,300 V SiC MOSFET-modul til industrielt udstyr, der kan hånterere høje peak-strømme, hvilket er med til at forøge systempålideligheden.
  • Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    Navitas og NVIDIA samarbejder om 800 V til 12 V power-delivery board

    power ›Navitas og NVIDIA udvikler 24 kW power-delivery board, der i ét trin kan konvertere 800 VDC direkte til 12 VDC og dermed eliminere 50 V IBC powertrinnet, hvilket booster systemeffektiviteten og reducerer boardstørrelsen (in english).
  • Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    Rohde & Schwarz afholder power-seminarer

    t-og-m ›Rohde & Schwarz afholder henholdsvis den 3. november (Aalborg) og 4. november (Sønderborg) heldagsseminarer, der fokuserer på forskellige testaspekter med relation til powerelektronik.
  • Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    Microchip og Navitas samarbejder om 800V referencedesign

    power ›Microchip og Navitas udvikler 800V-til-6V referencedesign, der kombinerer digital powerkontrol og hardwarebaseret sikkerhed, der kan accelerere udviklingen af højeffektive OCP (Open Compute Project) rack power applikationer.
  • Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    Lavspændings GaN FETs til AI datacentre og robotløsninger

    aktive-komponenter-og-embedded-sw ›Renesas udvider porteføljen af GaN-komponenter med første 100V E-mode GaN, der bl.a. vil være oplagt at bruge i datacentre og forskellige typer af robotter (in english).